講演名 2002/7/5
宇宙用薄膜太陽電池の研究
川北 史朗, 今泉 充, 松田 純夫,
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抄録(和) 地上用として開発されたCu(In,Ga)Se_2薄膜太陽電池の宇宙機への適用の可能性を探るため,この太陽電池の耐放射線性を評価した.その結果,従来の太陽電池と比較して,非常に高い耐放射線性を有する事が分かった.この原因を調べるため,放射線照射下および照射直後の電気特性の変化を取得した結果,電子線に対しては室温付近であっても電気特性が急激に回復すること,陽子線に対しては照射下での電気特性の劣化率や照射直後の回復率が太陽電池の温度に大きく依存していることが明らかになった.これらの結果から,この薄膜太陽電池は宇宙環境においてほとんど劣化しないことが期待され,将来の宇宙機への応用に非常に適した太陽電池であることが判明した.
抄録(英) We have investigated the radiation tolerance of Cu(In,Ga)Se_2 (CIGS)thin-film solar cells aiming for space applications. The radiation hardness of the cells is found to be higher than that of other thin-film solar cells. Observation of illumination-enhanced annealing of radiation damage to CIGS thin-film solar cells has been reported. In-situ measurements of short circuit current and open circuit voltage of CIGS cells during and after electron and proton irradiations under the short-circuit condition have been carried out in this study. The annealing rates of proton-induced defects in the solar cells with sort-circuit condition under simulated AM0 solar illumination is found to be enhanced compared to that under dark condition. These results suggest that CIGS cells have desirable potential for space applications.
キーワード(和) 薄膜太陽電池 / Cu(In,Ga)Se_2 / 宇宙 / 耐放射線性 / 劣化
キーワード(英) thin-film solar cell / Cu(In,Ga)Se_2 / space / radiation hardness / degradation
資料番号 EE2002-25
発行日

研究会情報
研究会 EE
開催期間 2002/7/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Energy Engineering in Electronics and Communications (EE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 宇宙用薄膜太陽電池の研究
サブタイトル(和)
タイトル(英) Study of Thin-Film Solar Cells for Space
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 薄膜太陽電池 / thin-film solar cell
キーワード(2)(和/英) Cu(In,Ga)Se_2 / Cu(In,Ga)Se_2
キーワード(3)(和/英) 宇宙 / space
キーワード(4)(和/英) 耐放射線性 / radiation hardness
キーワード(5)(和/英) 劣化 / degradation
第 1 著者 氏名(和/英) 川北 史朗 / Shirou Kawakita
第 1 著者 所属(和/英) 宇宙開発事業団技術研究部
Office of R&D, National Space Development Agency of Japan (NASDA)
第 2 著者 氏名(和/英) 今泉 充 / Mitsuru Imaizumi
第 2 著者 所属(和/英) 宇宙開発事業団技術研究部
Office of R&D, National Space Development Agency of Japan (NASDA)
第 3 著者 氏名(和/英) 松田 純夫 / Sumio Matsuda
第 3 著者 所属(和/英) 宇宙開発事業団技術研究部
Office of R&D, National Space Development Agency of Japan (NASDA)
発表年月日 2002/7/5
資料番号 EE2002-25
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 194
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日