| 講演名 | 2019-01-18 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 四田 泰代(住友電工デバイス・イノベーション), 舘野 泰範(住友電工), 米村 卓巳(住友電工), 古川 将人(住友電工), 山本 洋(住友電工), 野瀬 幸則(住友電工デバイス・イノベーション), 清水 聡(住友電工デバイス・イノベーション), |
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| 抄録(和) | 本研究の目的は，高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について，デバイス内部の応力・結晶歪に着目し，シミュレーションとデバイス内部を直接分析することで，その物理的メカニズムを検証することである．顕微ラマン分光法を用いて高温放置試験によって閾値電圧が浅い方へ変動したデバイスのゲート金属直下の結晶応力を評価した結果，高温放置前より結晶が垂直方向(c軸方向)に伸びていることが分かった．これはシミュレーションの結果と一致する．今回の結果から，高温通電試験での閾値電圧変動は，ゲート電極直下の結晶歪の変化によって，ピエゾ分極が変化し，2DEG濃度が変化したことが原因の一つであると結論づける． |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | GaN-HEMT / ピエゾ分極 / ラマン分光法 / 信頼性 / 閾値電圧変動 / 結晶歪 / 応力 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2018-81,MW2018-148 |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2019/1/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 日立中研 |
| 開催地（英） | Hitachi, Central Research Lab. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 委員長氏名（和） | 村口 正弘(東京理科大) / 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) |
| 委員長氏名（英） | Masahiro Muraguchi(TUS) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTT DOCOMO) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 中村 宝弘(日立) / 清水 隆志(宇都宮大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Nakamura(HITACHI) / Takashi Shimizu(Utsunomiya Univ.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 本良 瑞樹(東北大) / 吉田 賢史(鹿児島大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) / Satoshi Yoshida(Kagoshima Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The failure mode analysis on GaN-HEMT under High temperature operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | ピエゾ分極 |
| キーワード(3)（和/英） | ラマン分光法 |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 |
| キーワード(5)（和/英） | 閾値電圧変動 |
| キーワード(6)（和/英） | 結晶歪 |
| キーワード(7)（和/英） | 応力 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 四田 泰代 / Yasuyo Yotsuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社(略称：住友電工デバイス・イノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.(略称：SEDI) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 舘野 泰範 / Yasunori Tateno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社(略称：住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd.(略称：SEI) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 米村 卓巳 / Takumi Yonemura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社(略称：住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd.(略称：SEI) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古川 将人 / Masato Furukawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社(略称：住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd.(略称：SEI) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 洋 / Hiroshi Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社(略称：住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd.(略称：SEI) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 野瀬 幸則 / Yukinori Nose |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社(略称：住友電工デバイス・イノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.(略称：SEDI) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 清水 聡 / Satoshi Shimizu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社(略称：住友電工デバイス・イノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.(略称：SEDI) |
| 発表年月日 | 2019-01-18 |
| 資料番号 | ED2018-81,MW2018-148 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-402,MW-403 |
| ページ範囲 | pp.67-70(ED), pp.67-70(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |