| 講演名 | 2019-01-18 SiC-MOSFETを用いたkV, kA級ハイブリッド直流遮断器 久保 翔也(東工大), 佐藤 俊介(東工大), 全 俊豪(東工大), 安岡 康一(東工大), |
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| 抄録(和) | 近年直流遮断器の需要が増加しているが，直流は電流零点がないため開極時のアーク放電を消弧することが難しい。またアーク放電による電極損耗は著しく，アーク時間の短い直流遮断器の新方式として，電気接点と並列に半導体素子とサージ吸収素子を接続したハイブリッド直流遮断器が研究されている。本研究では定格1.2 kV, 444 AのSiC-MOSFETを2素子直列接続することで，直流1 kV, 1 kAの遮断に成功したので報告する。 |
| 抄録(英) | A hybrid circuit breaker consisted of power semiconductor devices and varistor connected in parallel with an electrical contact is extensively studied. This study shows the current interruption up to 1 kA at DC 1 kV using two 1.2 kV, 444 A SiC-MOSFETs connected in series. |
| キーワード(和) | ハイブリッド直流遮断器 / 溶融ブリッジ / アーク放電 / SiC-MOSFET |
| キーワード(英) | Hybrid DC circuit breaker / Molten metal bridge / Arc discharge / SiC-MOSFET |
| 資料番号 | EMD2018-50 |
| 発行日 | 2019-01-11 (EMD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2019/1/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下3階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 和田 真一(TMCシステム) |
| 委員長氏名（英） | Shinichi Wada(TMC System) |
| 副委員長氏名（和） | 萓野 良樹(電通大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) |
| 幹事氏名（和） | 水上 雅人(室蘭工大) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) |
| 幹事氏名（英） | Masato Mizukami(Muroran Inst. of Tech.) / Ｋｅｎｊｉ Ｓｕｚｕｋｉ(Fuji Electric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 林 優一(奈良先端大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuichi Hayashi(ＮＡＩＳＴ) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electromechanical Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC-MOSFETを用いたkV, kA級ハイブリッド直流遮断器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | kV-kA class Hybrid DC Circuit Breaker using SiC-MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハイブリッド直流遮断器 / Hybrid DC circuit breaker |
| キーワード(2)（和/英） | 溶融ブリッジ / Molten metal bridge |
| キーワード(3)（和/英） | アーク放電 / Arc discharge |
| キーワード(4)（和/英） | SiC-MOSFET / SiC-MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久保 翔也 / Shoya Kubo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 俊介 / Shunsuke Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 全 俊豪 / Shungo Zen |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安岡 康一 / Koichi Yasuoka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2019-01-18 |
| 資料番号 | EMD2018-50 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | EMD-407 |
| ページ範囲 | pp.11-16(EMD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-01-11 (EMD) |