講演名 | 2019-01-18 TE102モードによる負結合を用いた準ミリ波帯有極形SIW帯域通過フィルタの設計 清水 由太(埼玉大), 大平 昌敬(埼玉大), 馬 哲旺(埼玉大), |
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抄録(和) | 準ミリ波帯(28 GHz帯)で比帯域幅10%以上を実現しながら,急峻なスカート特性を有する有極形誘電体基板集積導波路(SIW : Substrate Integrated Waveguide)帯域通過フィルタを提案する.SIW共振器は比較的高い無負荷Q値を実現できるが,比帯域幅10%を得るために必要な強い結合と,SIWによるハイパス特性によって阻止域の減衰量を劣化するという問題がある.そのため,通過域近傍において伝送零点の生成が必要不可欠であるが,従来の手法ではスロット構造による負結合で放射損失が伴うという問題等があった.そこで,提案フィルタでは,対称な結合構成で伝送零点を対称・非対称に配置できるBox結合を採用し,TE101モードによる偶モード共振とTE102モードによる奇モード共振によってそれを実現している.まず,本手法の有効性は4段SIWフィルタの設計ならびに試作・測定によって検証している.さらに,高域側の阻止域で高減衰特性を得るために,伝送零点を高域側に2つ配置した非対称特性の6段SIWフィルタ設計を行い,電磁界シミュレーションによる評価によって設計結果の有効性を示している. |
抄録(英) | A quasi-millimeter-wave band substrate integrated waveguide (SIW) bandpass filter with a fractional bandwidth greater than 10% is proposed in this paper to realize high skirt selectivity because of transmission zeros. An SIW resonator has a relatively high unloaded Q factor, but the attenuation at stopbands is degraded by both a strong coupling required for fractional bandwidth of 10% and an intrinsic highpass response of SIW. Thus, transmission zeros need to be generated at passband edges, but in a conventional approach the radiation loss occurs when a slot structure is employed for negative coupling. In the proposed SIW filter, a box-coupling configuration is introduced, which is simply realized with even-mode resonance of TE101 mode and odd-mode one of TE102 mode. The effectiveness of the proposed filter configuration is verified through design, fabrication, and measurement of a fourth-order SIW filter. To enhance the attenuation level at upper stopband, furthermore, we design a sixth-order SIW filter having two transmission zeros at an upper passband edge, of which the validity is also shown by numerical evaluations using EM simulator. |
キーワード(和) | 準ミリ波帯 / 誘電体基板集積導波路(SIW) / 帯域通過フィルタ / 伝送零点 |
キーワード(英) | Quasi millimeter-wave band / substrate integrated waveguide (SIW) / bandpass filters / transmission zeros |
資料番号 | ED2018-88,MW2018-155 |
発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |
研究会情報 | |
研究会 | MW / ED |
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開催期間 | 2019/1/17(から2日開催) |
開催地(和) | 日立中研 |
開催地(英) | Hitachi, Central Research Lab. |
テーマ(和) | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般 |
テーマ(英) | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
委員長氏名(和) | 村口 正弘(東京理科大) / 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) |
委員長氏名(英) | Masahiro Muraguchi(TUS) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
副委員長氏名(和) | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) / 須原 理彦(首都大) |
副委員長氏名(英) | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTT DOCOMO) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Michihiko Suhara(TMU) |
幹事氏名(和) | 中村 宝弘(日立) / 清水 隆志(宇都宮大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
幹事氏名(英) | Takahiro Nakamura(HITACHI) / Takashi Shimizu(Utsunomiya Univ.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 本良 瑞樹(東北大) / 吉田 賢史(鹿児島大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) |
幹事補佐氏名(英) | Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) / Satoshi Yoshida(Kagoshima Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | TE102モードによる負結合を用いた準ミリ波帯有極形SIW帯域通過フィルタの設計 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Design of Quasi-Millimeter-Wave SIW Bandpass Filter with Transmission Zeros Using TE102 Mode for Negative Coupling |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 準ミリ波帯 / Quasi millimeter-wave band |
キーワード(2)(和/英) | 誘電体基板集積導波路(SIW) / substrate integrated waveguide (SIW) |
キーワード(3)(和/英) | 帯域通過フィルタ / bandpass filters |
キーワード(4)(和/英) | 伝送零点 / transmission zeros |
第 1 著者 氏名(和/英) | 清水 由太 / Yuta Shimizu |
第 1 著者 所属(和/英) | 埼玉大学(略称:埼玉大) Saitama University(略称:Saitama Univ) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 大平 昌敬 / Masataka Ohira |
第 2 著者 所属(和/英) | 埼玉大学(略称:埼玉大) Saitama University(略称:Saitama Univ) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 馬 哲旺 / Zhewang Ma |
第 3 著者 所属(和/英) | 埼玉大学(略称:埼玉大) Saitama University(略称:Saitama Univ) |
発表年月日 | 2019-01-18 |
資料番号 | ED2018-88,MW2018-155 |
巻番号(vol) | vol.118 |
号番号(no) | ED-402,MW-403 |
ページ範囲 | pp.103-108(ED), pp.103-108(MW), |
ページ数 | 6 |
発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |