| 講演名 | 2019-01-18 InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価 赤松 知弥(北大), 亀田 滉貴(北大), 佐々木 正尋(北大), 冨岡 克広(北大), 本久 順一(北大), |
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| 抄録(和) | ナノスケールの断面寸法を有する半導体ナノワイヤはヘテロ構造を利用した多様な量子構造が形成できるだけでなく、量子構造の個数や位置・サイズの制御や多様な材料選択が可能である。また、ナノワイヤのサイズ・形状を制御することで光取り出し効率の向上や自然発光の制御が可能となるため、可視から通信波長帯にわたる広い波長範囲での発光素子応用が期待できる。本研究では、単一光子のオンデマンド発生に向け、有機金属気相選択成長法によってInAsP活性層を埋め込んだInP/InAsP/InP縦ヘテロ構造ナノワイヤを成長し、ナノワイヤアレイ縦型LEDを作製した。作製したLED素子は、電流注入によってInAsP層からの近赤外波長域の発光を示した。 |
| 抄録(英) | Semiconductor nanowires (NWs), which have nanoscale footprints, enables us to realize variety of quantum structures with excellent position and size controllability, utilizing more abundant selections of materials for heterostructures. In addition, it is possible to enhance light extraction and to control spontaneous emission by controlling their size and shape. These makes NWs promising materials for light emitters applicable from visible to fiber telecom bands. In this study, we grew InP / InAsP / InP vertical heterostructure nanowires, where InAsP was embedded for active layer by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy and fabricated vertical nanowire array LEDs as one of the efforts towards on-demand single photon emitters. The LEDs showed rectifying characteristics and electroluminescence from embedded InAsP layer in the near infrared region. |
| キーワード(和) | III-V族化合物半導体 / ナノワイヤ / 発光ダイオード / 有機金属気相選択成長法 |
| キーワード(英) | III-V compound semiconductor / Nanowires / Light emitting diodes / Selective-area MOVPE |
| 資料番号 | PN2018-77,EMT2018-111,OPE2018-186,LQE2018-196,EST2018-124,MWP2018-95 |
| 発行日 | 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | PN / EMT / OPE / EST / MWP / LQE / IEE-EMT |
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| 開催期間 | 2019/1/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪大学中之島センター |
| 開催地（英） | Osaka University Nakanoshima Center |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 長谷川 浩(名大) / 廣瀬 明(東大) / 佐藤 功紀(古河電工) / 平田 晃正(名工大) / 川西 哲也(早大) / 浜本 貴一(九大) / 後藤 啓次(防衛大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Hasegawa(Nagoya Univ.) / Akira Hirose(Univ. of Tokyo) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) / Akimasa Hirata(Nagoya Inst. of Tech.) / Tetsuya Kawanishi(Waseda Univ.) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Keiji Goto(National Defense Academy) |
| 副委員長氏名（和） | 大越 春喜(古河電工) / 釣谷 剛宏(KDDI総合研究所) / 古川 英昭(NICT) / 平山 浩一(北見工大) / 高橋 浩(上智大) / 大貫 進一郎(日大) / 君島 正幸(アドバンテスト研) / 柴山 純(法政大) / 吉本 直人(千歳科技大) / 有賀 博(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Haruki Ogoshi(Furukawa Electric) / Takehiro Tsuritani(KDDI Research) / Hideaki Furukawa(NICT) / Koichi Hirayama(Kitami Inst. of Tech.) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) / Shinichiro Ohnuki(Nihon Univ.) / Masayuki Kimishima(Advantest) / Jun Shibayama(Hosei Univ.) / Naoto Yoshimoto(Chitose Inst. of Science and Tech.) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 廣田 悠介(NICT) / 橘 拓至(福井大) / 中川 雅弘(NTT) / 黒木 啓之(都立産技高専) / 渡辺 仰基(福岡工大) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) / 江口 真史(千歳科技大) / 園田 潤(仙台高専) / 菅野 敦史(NICT) / 枚田 明彦(千葉工大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 川口 秀樹(室蘭工大) / 西岡 泰弘(三菱電機) / 阪本 卓也(兵庫県立大) |
| 幹事氏名（英） | Yusuke Hirota(NICT) / Takuji Tachibana(Univ. of Fukui) / Masahiro Nakagawa(NTT) / Takashi Kuroki(Tokyo Metro. Coll. of Tech) / Koki Watanabe(Fukuoka Inst.of Tech.) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) / Masashi Eguchi(CIST) / Jun Sonoda(National Inst. of Tech.,Sendai College) / Atsushi Kanno(NICT) / Akihiko Hirata(Chiba Inst. of Tech.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Hideki Kawaguchi(Muroran IT) / Yasuhiro Nishioka(Mitsubishi Electric) / Takuya Sakamoto(Univ. of Hyogo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 鈴木 恵治郎(産総研) / 杉坂 純一郎(北見工大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) / 伊藤 孝弘(名工大) / 藤田 和広(富士通) / 池田 研介(電中研) / 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 永井 正也(阪大) / 中 良弘(九州保健福祉大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Keijiro Suzuki(AIST) / Junichiro Sugisaka(Kitami Inst. of Tech.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) / Takahiro Ito(Nagoya Inst. of Tech.) / Kazuhiro Fujita(Fujitsu) / Kensuke Ikeda(CRIEPI) / Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yoshihiro Naka(Kyushu Univ. of Health and Welfare) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Photonic Network / Technical Committee on Electromagnetic Theory / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Electronics Simulation Technology / Technical Committee on Microwave and Millimeter-wave Photonics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Meeting on Electromagnetic Theory |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of InP/InAsP/InP heterostructure nanowire LEDs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V compound semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ナノワイヤ / Nanowires |
| キーワード(3)（和/英） | 発光ダイオード / Light emitting diodes |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相選択成長法 / Selective-area MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 赤松 知弥 / Tomoya Akamatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 亀田 滉貴 / Hiroki Kameda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 正尋 / Masahiro Sasaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 冨岡 克広 / Katsuhiro Tomioka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 本久 順一 / Junichi Motohisa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-01-18 |
| 資料番号 | PN2018-77,EMT2018-111,OPE2018-186,LQE2018-196,EST2018-124,MWP2018-95 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | PN-396,EMT-397,OPE-398,LQE-399,EST-400,MWP-401 |
| ページ範囲 | pp.247-250(PN), pp.247-250(EMT), pp.247-250(OPE), pp.247-250(LQE), pp.247-250(EST), pp.247-250(MWP), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) |