| 講演名 | 2019-01-18 深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討 上向井 正裕(阪大), 楠本 壮(阪大), 田附 大貴(阪大), 田島 純平(東芝), 彦坂 年輝(東芝), 布上 真也(東芝), 片山 竜二(阪大), |
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| 抄録(和) | GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率波長変換デバイスへの応用が期待されている．励起光源として400 nm帯InGaN量子井戸単一モードレーザを用いれば，200 nm帯深紫外光発生や800 nm帯スクイーズド光発生が可能となるが，この波長帯における単一モードレーザの報告例はほとんどない．本研究では，高分解能EB描画や結晶再成長を必要としない簡便なプロセスで作製でき，周期構造領域に電流注入を行うことで波長可変を目指した2種のInGaN波長可変単一モードレーザの設計を行い，その作製プロセスについて検討を行ったので報告する． |
| 抄録(英) | Nitride semiconductors such as GaN and AlN have strong optical nonlinearity and can be applied to wavelength conversion devices. 200-nm band deep UV light and 800-nm band squeezed light can be obtained from such devices pumped by 400-nm band InGaN QW single-mode lasers. The single-mode lasers with deeply etched periodic structure can be fabricated by simple process without high-resolution EB lithography and epitaxial regrowth. By current injection to the periodic structures, wavelength tuning can be expected. In this work, we design two types of InGaN tunable single-mode lasers and report their fabrication process. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 波長可変 / 単一モードレーザ / DBRレーザ / スロットレーザ |
| キーワード(英) | Semiconductor lasers / Wavelength tuning / Single-mode lasers / DBR lasers / Slotted lasers |
| 資料番号 | PN2018-76,EMT2018-110,OPE2018-185,LQE2018-195,EST2018-123,MWP2018-94 |
| 発行日 | 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | PN / EMT / OPE / EST / MWP / LQE / IEE-EMT |
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| 開催期間 | 2019/1/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪大学中之島センター |
| 開催地（英） | Osaka University Nakanoshima Center |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 長谷川 浩(名大) / 廣瀬 明(東大) / 佐藤 功紀(古河電工) / 平田 晃正(名工大) / 川西 哲也(早大) / 浜本 貴一(九大) / 後藤 啓次(防衛大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Hasegawa(Nagoya Univ.) / Akira Hirose(Univ. of Tokyo) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) / Akimasa Hirata(Nagoya Inst. of Tech.) / Tetsuya Kawanishi(Waseda Univ.) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Keiji Goto(National Defense Academy) |
| 副委員長氏名（和） | 大越 春喜(古河電工) / 釣谷 剛宏(KDDI総合研究所) / 古川 英昭(NICT) / 平山 浩一(北見工大) / 高橋 浩(上智大) / 大貫 進一郎(日大) / 君島 正幸(アドバンテスト研) / 柴山 純(法政大) / 吉本 直人(千歳科技大) / 有賀 博(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Haruki Ogoshi(Furukawa Electric) / Takehiro Tsuritani(KDDI Research) / Hideaki Furukawa(NICT) / Koichi Hirayama(Kitami Inst. of Tech.) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) / Shinichiro Ohnuki(Nihon Univ.) / Masayuki Kimishima(Advantest) / Jun Shibayama(Hosei Univ.) / Naoto Yoshimoto(Chitose Inst. of Science and Tech.) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 廣田 悠介(NICT) / 橘 拓至(福井大) / 中川 雅弘(NTT) / 黒木 啓之(都立産技高専) / 渡辺 仰基(福岡工大) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) / 江口 真史(千歳科技大) / 園田 潤(仙台高専) / 菅野 敦史(NICT) / 枚田 明彦(千葉工大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 川口 秀樹(室蘭工大) / 西岡 泰弘(三菱電機) / 阪本 卓也(兵庫県立大) |
| 幹事氏名（英） | Yusuke Hirota(NICT) / Takuji Tachibana(Univ. of Fukui) / Masahiro Nakagawa(NTT) / Takashi Kuroki(Tokyo Metro. Coll. of Tech) / Koki Watanabe(Fukuoka Inst.of Tech.) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) / Masashi Eguchi(CIST) / Jun Sonoda(National Inst. of Tech.,Sendai College) / Atsushi Kanno(NICT) / Akihiko Hirata(Chiba Inst. of Tech.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Hideki Kawaguchi(Muroran IT) / Yasuhiro Nishioka(Mitsubishi Electric) / Takuya Sakamoto(Univ. of Hyogo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 鈴木 恵治郎(産総研) / 杉坂 純一郎(北見工大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) / 伊藤 孝弘(名工大) / 藤田 和広(富士通) / 池田 研介(電中研) / 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 永井 正也(阪大) / 中 良弘(九州保健福祉大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Keijiro Suzuki(AIST) / Junichiro Sugisaka(Kitami Inst. of Tech.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) / Takahiro Ito(Nagoya Inst. of Tech.) / Kazuhiro Fujita(Fujitsu) / Kensuke Ikeda(CRIEPI) / Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yoshihiro Naka(Kyushu Univ. of Health and Welfare) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Photonic Network / Technical Committee on Electromagnetic Theory / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Electronics Simulation Technology / Technical Committee on Microwave and Millimeter-wave Photonics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Meeting on Electromagnetic Theory |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaN quantum well tunable single-mode semiconductor lasers with deeply-etched periodic structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor lasers |
| キーワード(2)（和/英） | 波長可変 / Wavelength tuning |
| キーワード(3)（和/英） | 単一モードレーザ / Single-mode lasers |
| キーワード(4)（和/英） | DBRレーザ / DBR lasers |
| キーワード(5)（和/英） | スロットレーザ / Slotted lasers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上向井 正裕 / Masahiro Uemukai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 楠本 壮 / So Kusumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田附 大貴 / Daiki Tazuke |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田島 純平 / Jumpei Tajima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 彦坂 年輝 / Toshiki Hikosaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 布上 真也 / Shinya Nunoue |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 片山 竜二 / Ryuji Katayama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-01-18 |
| 資料番号 | PN2018-76,EMT2018-110,OPE2018-185,LQE2018-195,EST2018-123,MWP2018-94 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | PN-396,EMT-397,OPE-398,LQE-399,EST-400,MWP-401 |
| ページ範囲 | pp.243-246(PN), pp.243-246(EMT), pp.243-246(OPE), pp.243-246(LQE), pp.243-246(EST), pp.243-246(MWP), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) |