講演名 2019-01-18
Siフォトニクス光受信機における二次元グレーティングカプラの低偏波依存動作の実証
蘇武 洋平(光電子融合基盤技研/富士通/富士通研), 鄭 錫煥(光電子融合基盤技研/富士通/富士通研), 田中 有(光電子融合基盤技研/富士通/富士通研),
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) シリコンフォトニクス集積光トランシーバと光ファイバとの受信用インターフェースとして用いられる二次元グレーティングカプラ (2DGC) は、光ファイバを伝搬する任意の偏波に対して動作することが求められる.しかし、2DGCの反射を抑制するために光ファイバを傾斜させた場合、2DGCの偏波依存性 (PDL) が発生する.我々は、3次元のFDTD (finite difference time domain) 法を利用し、2DGCのPDLに対して散乱体の配列依存性と形状依存性を明らかにした.そして、傾斜配列と十字型の散乱体を適用することでPDLが低減できることを示した.設計に基づいて試作した2DGCを測定し、1.3 μm帯において60 nm以上の広い波長帯域にわたり、PDL < 0.3 dBという良好な特性が得られた.また、200 mm-SOIウエハ面内において7 cm以上離れた素子でも同等のPDLが維持されていることを実証した.
抄録(英) Two-dimensional grating couplers (2DGCs) typically used as the optical I/O interface on the silicon photonics receiver need to operate with a lightwave with an arbitrary polarization in a single mode fiber (SMF). 2DGCs typically have a polarization dependent loss (PDL) due to the fiber angle tilted to reduce the back reflections at the fiber/grating interface. We numerically analyzed the dependence of the PDL of 2DGCs as for the scatterer arrays and shapes by using the three three-dimensional finite difference time domain (3D-FDTD) method. The reduction of the PDL of 2DGCs was realized by using slanted arrays and cross-shaped scatterers. We experimentally demonstrated a PDL < 0.3 dB over a 60-nm-wide spectral range. The tendency of the PDL characteristics (< 0.3 dB over a 60-nmwide range) was maintained even when the half-etching depth of the 2DGC deviated in a 200 mm silicon-on-insulator (SOI) wafer.
キーワード(和) シリコンフォトニクス / グレーティングカプラ / 偏波依存性 / 光ファイバ
キーワード(英) Silicon photonics / Grating coupler / Polarization dependence / Optical fiber
資料番号 PN2018-65,EMT2018-99,OPE2018-174,LQE2018-184,EST2018-112,MWP2018-83
発行日 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP)

研究会情報
研究会 PN / EMT / OPE / EST / MWP / LQE / IEE-EMT
開催期間 2019/1/17(から2日開催)
開催地(和) 大阪大学中之島センター
開催地(英) Osaka University Nakanoshima Center
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 長谷川 浩(名大) / 廣瀬 明(東大) / 佐藤 功紀(古河電工) / 平田 晃正(名工大) / 川西 哲也(早大) / 浜本 貴一(九大) / 後藤 啓次(防衛大)
委員長氏名(英) Hiroshi Hasegawa(Nagoya Univ.) / Akira Hirose(Univ. of Tokyo) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) / Akimasa Hirata(Nagoya Inst. of Tech.) / Tetsuya Kawanishi(Waseda Univ.) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Keiji Goto(National Defense Academy)
副委員長氏名(和) 大越 春喜(古河電工) / 釣谷 剛宏(KDDI総合研究所) / 古川 英昭(NICT) / 平山 浩一(北見工大) / 高橋 浩(上智大) / 大貫 進一郎(日大) / 君島 正幸(アドバンテスト研) / 柴山 純(法政大) / 吉本 直人(千歳科技大) / 有賀 博(三菱電機)
副委員長氏名(英) Haruki Ogoshi(Furukawa Electric) / Takehiro Tsuritani(KDDI Research) / Hideaki Furukawa(NICT) / Koichi Hirayama(Kitami Inst. of Tech.) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) / Shinichiro Ohnuki(Nihon Univ.) / Masayuki Kimishima(Advantest) / Jun Shibayama(Hosei Univ.) / Naoto Yoshimoto(Chitose Inst. of Science and Tech.) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric)
幹事氏名(和) 廣田 悠介(NICT) / 橘 拓至(福井大) / 中川 雅弘(NTT) / 黒木 啓之(都立産技高専) / 渡辺 仰基(福岡工大) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) / 江口 真史(千歳科技大) / 園田 潤(仙台高専) / 菅野 敦史(NICT) / 枚田 明彦(千葉工大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 川口 秀樹(室蘭工大) / 西岡 泰弘(三菱電機) / 阪本 卓也(兵庫県立大)
幹事氏名(英) Yusuke Hirota(NICT) / Takuji Tachibana(Univ. of Fukui) / Masahiro Nakagawa(NTT) / Takashi Kuroki(Tokyo Metro. Coll. of Tech) / Koki Watanabe(Fukuoka Inst.of Tech.) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) / Masashi Eguchi(CIST) / Jun Sonoda(National Inst. of Tech.,Sendai College) / Atsushi Kanno(NICT) / Akihiko Hirata(Chiba Inst. of Tech.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Hideki Kawaguchi(Muroran IT) / Yasuhiro Nishioka(Mitsubishi Electric) / Takuya Sakamoto(Univ. of Hyogo)
幹事補佐氏名(和) 鈴木 恵治郎(産総研) / 杉坂 純一郎(北見工大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) / 伊藤 孝弘(名工大) / 藤田 和広(富士通) / 池田 研介(電中研) / 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 永井 正也(阪大) / 中 良弘(九州保健福祉大)
幹事補佐氏名(英) Keijiro Suzuki(AIST) / Junichiro Sugisaka(Kitami Inst. of Tech.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) / Takahiro Ito(Nagoya Inst. of Tech.) / Kazuhiro Fujita(Fujitsu) / Kensuke Ikeda(CRIEPI) / Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yoshihiro Naka(Kyushu Univ. of Health and Welfare)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Photonic Network / Technical Committee on Electromagnetic Theory / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Electronics Simulation Technology / Technical Committee on Microwave and Millimeter-wave Photonics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Meeting on Electromagnetic Theory
本文の言語 JPN
タイトル(和) Siフォトニクス光受信機における二次元グレーティングカプラの低偏波依存動作の実証
サブタイトル(和)
タイトル(英) Demonstration of Low Polarization Dependent Loss of Two Dimensional Grating Coupler for Silicon Photonics Optical Receiver
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics
キーワード(2)(和/英) グレーティングカプラ / Grating coupler
キーワード(3)(和/英) 偏波依存性 / Polarization dependence
キーワード(4)(和/英) 光ファイバ / Optical fiber
第 1 著者 氏名(和/英) 蘇武 洋平 / Yohei Sobu
第 1 著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所/富士通株式会社/株式会社富士通研究所(略称:光電子融合基盤技研/富士通/富士通研)
Photonics Electronics Technology Research Association/Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd.(略称:PETRA/Fujitsu/Fujitsu Lab)
第 2 著者 氏名(和/英) 鄭 錫煥 / Seok-Hwan Jeong
第 2 著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所/富士通株式会社/株式会社富士通研究所(略称:光電子融合基盤技研/富士通/富士通研)
Photonics Electronics Technology Research Association/Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd.(略称:PETRA/Fujitsu/Fujitsu Lab)
第 3 著者 氏名(和/英) 田中 有 / Yu Tanaka
第 3 著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所/富士通株式会社/株式会社富士通研究所(略称:光電子融合基盤技研/富士通/富士通研)
Photonics Electronics Technology Research Association/Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd.(略称:PETRA/Fujitsu/Fujitsu Lab)
発表年月日 2019-01-18
資料番号 PN2018-65,EMT2018-99,OPE2018-174,LQE2018-184,EST2018-112,MWP2018-83
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) PN-396,EMT-397,OPE-398,LQE-399,EST-400,MWP-401
ページ範囲 pp.187-192(PN), pp.187-192(EMT), pp.187-192(OPE), pp.187-192(LQE), pp.187-192(EST), pp.187-192(MWP),
ページ数 6
発行日 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP)