| 講演名 | 2018-12-06 III-V/Siハイブリッド集積に向けた二段テーパ構造の高光結合効率 菊地 健彦(住友電工/東工大), 鈴木 純一(東工大), 立花 文人(東工大), 井上 尚子(住友電工), 八木 英樹(住友電工), Moataz Eissa(東工大), 御手洗 拓矢(東工大), 雨宮 智宏(東工大), 西山 伸彦(東工大), 荒井 滋久(東工大), |
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| 抄録(和) | III-V族半導体から成るアクティブ素子とSiフォトニクスのハイブリッド集積技術は，小型，高速かつ，低消費電力な次世代の光集積回路実現に向けて有望である．我々はこれまでに, 窒素プラズマ活性化接合を用いてGaInAsP/Silicon-On-Insulatorハイブリッド集積光素子を実現している．今後の更なる素子の高性能化に向けては, InP系活性領域とSi導波路との光結合の高効率化が課題となっていた．本稿では，Si導波路とIII-V/Siハイブリッド部の光結合部分をi線ステッパプロセス作製法を用いて二段テーパ構造とすることにより，86%の高効率結合を実現したのでご報告する． |
| 抄録(英) | The hybrid integration utilizing III-V based active devices with Si-Photonics is very attractive to realize new-generation photonic integrated circuits (PICs) with a small-footprint, high-speed response, and low power dissipation. GaInAsP/ Silicon-On-Insulator (SOI) hybrid photonic integrations have been realized using N2 plasma activated bonding (PAB) processes. In addition, high optical coupling efficiency between the InP-based active section and Si-waveguides is a key issue for the realization of high-performance photonic devices. High optical coupling efficiency between them of 86% was realized by using the i-line stepper lithography process. |
| キーワード(和) | III-V/Siハイブリッド集積 / 二段テーパ導波路構造 / プラズマ活性化接合 / InP / Siフォトニクス |
| キーワード(英) | III-V/Si hybrid integration / Double taper-type coupler structure / Plasma activated bonding / InP / Si-Photonics |
| 資料番号 | OPE2018-129,LQE2018-139,SIPH2018-45 |
| 発行日 | 2018-11-29 (OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / OPE |
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| 開催期間 | 2018/12/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | 慶應義塾大学 |
| 開催地（英） | Keio University |
| テーマ（和） | Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) |
| テーマ（英） | Photonic Device Workshop |
| 委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 佐藤 功紀(古河電工) |
| 委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) |
| 副委員長氏名（和） | 有賀 博(三菱電機) / 高橋 浩(上智大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics |
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| 本文の言語 | ENG-JTITLE |
| タイトル（和） | III-V/Siハイブリッド集積に向けた二段テーパ構造の高光結合効率 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High optical coupling efficiency by double taper-type coupler structure towards III-V/Si hybrid photonic integration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V/Siハイブリッド集積 / III-V/Si hybrid integration |
| キーワード(2)（和/英） | 二段テーパ導波路構造 / Double taper-type coupler structure |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ活性化接合 / Plasma activated bonding |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | Siフォトニクス / Si-Photonics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊地 健彦 / Takehiko Kikuchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社/東京工業大学(略称：住友電工/東工大) Sumitomo Electric Industries, Ltd./Tokyo Institute of Technology(略称：SEI/Tokyo Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 純一 / Junichi Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 立花 文人 / Fumihito Tachibana |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 尚子 / Naoko Inoue |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社(略称：住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd.(略称：SEI) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八木 英樹 / Hideki Yagi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社(略称：住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd.(略称：SEI) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | Moataz Eissa / Moataz Eissa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 御手洗 拓矢 / Takuya Mitarai |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-12-06 |
| 資料番号 | OPE2018-129,LQE2018-139,SIPH2018-45 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | OPE-348,LQE-349,SIPH- |
| ページ範囲 | pp.161-164(OPE), pp.161-164(LQE), pp.161-164(SIPH), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-29 (OPE, LQE) |