講演名 | 2018-12-25 酸素雰囲気中で作製したAlOx/GeOx/a-Geスタック構造に対する原子状水素アニールの効果 大貫 智史(兵庫県立大), 部家 彰(兵庫県立大), 松尾 直人(兵庫県立大), |
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抄録(和) | |
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キーワード(英) | |
資料番号 | EID2018-6,SDM2018-79 |
発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
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開催期間 | 2018/12/25(から1日開催) |
開催地(和) | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
開催地(英) | |
テーマ(和) | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 小南 裕子(静岡大) / 品田 高宏(東北大) |
委員長氏名(英) | Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
副委員長氏名(和) | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
副委員長氏名(英) | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
幹事氏名(和) | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
幹事氏名(英) | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
幹事補佐氏名(和) | 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
幹事補佐氏名(英) | Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 酸素雰囲気中で作製したAlOx/GeOx/a-Geスタック構造に対する原子状水素アニールの効果 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Effect of atomic hydrogen annealing on AlOx/GeOx/a-Ge stack structure fabricated in O2 ambient |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 大貫 智史 / Tomofumi Onuki |
第 1 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学(略称:兵庫県立大) University of Hyogo(略称:Univ. Hyogo) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 部家 彰 / Akira Heya |
第 2 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学(略称:兵庫県立大) University of Hyogo(略称:Univ. Hyogo) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 松尾 直人 / Naoto Matsuo |
第 3 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学(略称:兵庫県立大) University of Hyogo(略称:Univ. Hyogo) |
発表年月日 | 2018-12-25 |
資料番号 | EID2018-6,SDM2018-79 |
巻番号(vol) | vol.118 |
号番号(no) | EID-379,SDM-380 |
ページ範囲 | pp.21-24(EID), pp.21-24(SDM), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |