講演名 2018-12-06
電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析
今村 裕志(産総研),
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抄録(和) 電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集めている.電圧トルクMRAMの動作原理について解説を行い,実用化に向けて重要な特性の一つである書き込みエラー率のシミュレーション解析結果について報告する.
抄録(英) Voltage torque MRAM, where the information is written by using the voltage control of the magntic anisotropy, has attracted much attention as a fast and ultra-low-power non-volatile memory. We introduce the operation principles of the voltage-torque MRAM and report the results of our simulation analysis of the write error rate which is one of the key properties for practical applications.
キーワード(和) 不揮発性メモリ / MRAM / 電圧トルク / 磁気異方性 / 書き込みエラー率
キーワード(英) non-volatile memory / MRAM / voltage-torque / magnetic anisotropy / write error rate
資料番号 MRIS2018-23
発行日 2018-11-29 (MRIS)

研究会情報
研究会 MRIS / ITE-MMS
開催期間 2018/12/6(から2日開催)
開催地(和) 愛媛大学
開催地(英) Ehime University
テーマ(和) 信号処理,一般
テーマ(英) Signal Processing and Others
委員長氏名(和) 松沼 悟(マクセル) / 石井 紀彦(NHK)
委員長氏名(英) Satoshi Matsunuma(Maxell) / Norihiko Ishii(NHK)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和) 永澤 鶴美(東芝) / 吉田 周平(近畿大) / 川前 治(マクセル)
幹事氏名(英) Tazumi Nagasawa(Toshiba) / Shuhei Yoshida(Kinki Univ.) / Osam Kawamae(Maxell)
幹事補佐氏名(和) 田河 育也(東北工大) / 荒井 礼子(産総研)
幹事補佐氏名(英) Ikuya Tagawa(Tohoku Inst. of Tech.) / Hiroko Arai(AIST)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Magnetic Recording & Information Storage / Technical Group on Multi-media Storage
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) Simulation analysis of the write error rate of voltage-torque MRAM
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 不揮発性メモリ / non-volatile memory
キーワード(2)(和/英) MRAM / MRAM
キーワード(3)(和/英) 電圧トルク / voltage-torque
キーワード(4)(和/英) 磁気異方性 / magnetic anisotropy
キーワード(5)(和/英) 書き込みエラー率 / write error rate
第 1 著者 氏名(和/英) 今村 裕志 / Hiroshi Imamura
第 1 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)(略称:AIST)
発表年月日 2018-12-06
資料番号 MRIS2018-23
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) MRIS-347
ページ範囲 pp.19-23(MRIS),
ページ数 5
発行日 2018-11-29 (MRIS)