| 講演名 | 2018-12-25 Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ) 秋田 佳輝(兵庫県立大), 松尾 直人(兵庫県立大), 小濱 和之(阪大), 伊藤 和博(阪大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本研究では，Ge膜のFLA結晶化時にSiOxキャップ膜が及ぼす影響を調査した．FLA結晶化におけるpoly-Ge膜の結晶性は液相結晶化(LPC) ，固相結晶化(SPC) 条件下でそれぞれ異なった．SPC条件下のGe膜(60 nm) では，結晶化率はキャップ層により増加したが，LPC条件下のGe膜(15, 30, 60 nm) では減少した．SEM像により直径約10 nmの微細粒が確認できた．さらにLPC条件下では，膜厚が増加するにつれて?c-Geが減少することがラマンスペクトルにより確認された．X線回折を行ったところ，膜厚増加に伴い(111) , (220) , (311) 面の粒成長が顕著であった．LPC条件下のGe結晶化において，?c-Geが核として生成されたと考えられえる． |
| 抄録(英) | We examined the effect of SiOx capping film on Ge films in FLA. The crystallinity was different between SPC and LPC. At SPC, the crystalline fraction was increased by the capping film for 60 nm-thick Ge film, although it decreased with the capping film for 15 - 60 nm at LPC. Many small grains with a diameter of approximately 10 nm was observed in SEM image. In addition, it was found by Raman spectral that the ?c-Ge decreased as the film thickness increased for the LPC. The XRD results showed that the grain growth with (111), (220) and (311) planes becomes remarkable as the film thickness increased. It is considered that the ?c-Ge serves as a nucleus for Ge crystallization by LPC. |
| キーワード(和) | Ge / 結晶化 / フラッシュランプアニール / SiOxキャップ膜 |
| キーワード(英) | Ge / crystallization / Flash lamp annealing / SiOx capping film |
| 資料番号 | EID2018-5,SDM2018-78 |
| 発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
|---|---|
| 開催期間 | 2018/12/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小南 裕子(静岡大) / 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of SiOx Capping Film on Crystallization of Ge Film for Flash Lamp Annealing (Ⅱ) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶化 / crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | フラッシュランプアニール / Flash lamp annealing |
| キーワード(4)（和/英） | SiOxキャップ膜 / SiOx capping film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 秋田 佳輝 / Yoshiki akita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小濱 和之 / Kazuyuki Kohama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊藤 和博 / Kazuhiro Ito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-12-25 |
| 資料番号 | EID2018-5,SDM2018-78 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | EID-379,SDM-380 |
| ページ範囲 | pp.17-20(EID), pp.17-20(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |