| 講演名 | 2018-12-25 Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響 中野 響(兵庫県立大), 松尾 直人(兵庫県立大), 部家 彰(兵庫県立大), 山名 一成(兵庫県立大), 高田 忠雄(兵庫県立大), 盛谷 浩右(兵庫県立大), 乾 徳夫(兵庫県立大), 佐藤 佑(兵庫県立大), 佐藤 旦(広島大), 横山 新(広島大), |
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| 抄録(和) | DNAにArクラスターを照射した。照射前後で、電流値に大きな変化が見られた。ArクラスターによりDNAに変化が起きたと考えられる。Arクラスターと同時にSIMS（Secondary Ion Mass Spectrometry）を行い、DNAの塩基に関するピークが見られた。DNAの形状に大きな変化があったのではないかと考えられる。 |
| 抄録(英) | DNA was irradiated with Ar-cluster. A large change was observed in the current value before and after the irradiation. It seems that DNA has changed due to Ar-cluster. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) was performed simultaneously with the Ar-cluster, and a peak related to DNA base was observed. It seems that there was a big change in the shape of DNA. |
| キーワード(和) | DNA/Si-MOSFET / Secondary Ion Mass Spectrometry |
| キーワード(英) | DNA/Si-MOSFET / Secondary Ion Mass Spectrometry |
| 資料番号 | EID2018-7,SDM2018-80 |
| 発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
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| 開催期間 | 2018/12/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小南 裕子(静岡大) / 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study for hole- or electron- conduction of DNA/Si-MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DNA/Si-MOSFET / DNA/Si-MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | Secondary Ion Mass Spectrometry / Secondary Ion Mass Spectrometry |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中野 響 / Hibiki Nakano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto Mastuo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 部家 彰 / Akira Heya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山名 一成 / Kazushige Yamana |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高田 忠雄 / Tadao Takada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 盛谷 浩右 / Kousuke Moritani |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 乾 徳夫 / Norio Inui |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 佐藤 佑 / Yu Sato |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 佐藤 旦 / Tadashi Sato |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 横山 新 / Shin Yokoyama |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-12-25 |
| 資料番号 | EID2018-7,SDM2018-80 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | EID-379,SDM-380 |
| ページ範囲 | pp.25-28(EID), pp.25-28(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |