講演名 2018-12-06
磁気光学デバイス応用に向けたSi基板上Ce:YIGの形成
野口 道臣(東工大), 庄司 雄哉(東工大), 水本 哲弥(東工大),
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抄録(和) セリウム一置換の多結晶セリウム置換型イットリウム鉄ガーネット(CeY2Fe5O12, Ce:YIG)の、シリコン基板上への直接堆積法による製膜について報告する。結晶性の向上を期待して、下地層としてYIG(Y3Fe5O12)を有機金属分解法(Metal Organic Decomposition:MOD法)で形成し、その上にスパッタ法でCe:YIG多結晶を製膜することで、Ce:YIG/YIG/Si構造の形成に成功した。得られた多結晶Ce:YIGのファラデー回転係数は-1400 deg/cmであり、これは単結晶の31%に相当する。また得られた構造の下地層厚さは120 nmであった。また得られた構造による非相反移送導波路について、下地層厚さの低減が特性改善に有効であることがわかった。下地層厚さの低減のためにMOD法プロセスの改善についても試みたので報告する。
抄録(英) We report the deposition of a polycrystalline Ce-monosubstituted Yttrium Iron Garnet (CeY2Fe5O12, Ce:YIG) by a direct deposition method on a Silicon substrate. Expecting improvement of crystallinity, YIG (Y3Fe5O12) is formed as an seedlayer by metal organic decomposition method (MOD method), and Ce:YIG polycrystal is formed thereon by sputtering method, succeeded in forming the Ce:YIG/YIG/Si structure. The Faraday rotation coefficient of the obtained polycrystalline Ce:YIG is -1400 deg/cm, which corresponds to 31% of the single crystal. The thickness of the seedlayer of the obtained structure was 120 nm. It was also found that reduction of the thickness of the seedlayer is effective for improving the characteristics of the nonreciprocal waveguide with the obtained structure. In order to reduce the thickness of the seedlayer, we also tried to improve the MOD process and report it.
キーワード(和) 光集積回路 / 磁気光学材料 / 磁気光学デバイス / シリコンフォトニクス / Ce:YIG / 有機金属分解法
キーワード(英) Optical Integrated Circuit / Magneto-optical Material / Magneto-optical Device / Silicon Photonics / Ce:YIG / Metal Organic Decomposition
資料番号 OPE2018-123,LQE2018-133,SIPH2018-39
発行日 2018-11-29 (OPE, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / OPE
開催期間 2018/12/6(から2日開催)
開催地(和) 慶應義塾大学
開催地(英) Keio University
テーマ(和) Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス)
テーマ(英) Photonic Device Workshop
委員長氏名(和) 浜本 貴一(九大) / 佐藤 功紀(古河電工)
委員長氏名(英) Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries)
副委員長氏名(和) 有賀 博(三菱電機) / 高橋 浩(上智大)
副委員長氏名(英) Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.)
幹事氏名(和) 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT)
幹事氏名(英) Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT)
幹事補佐氏名(和) 永井 正也(阪大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT)
幹事補佐氏名(英) Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) 磁気光学デバイス応用に向けたSi基板上Ce:YIGの形成
サブタイトル(和)
タイトル(英) Deposition of Ce:YIG on Si for Magneto-Optical Devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 光集積回路 / Optical Integrated Circuit
キーワード(2)(和/英) 磁気光学材料 / Magneto-optical Material
キーワード(3)(和/英) 磁気光学デバイス / Magneto-optical Device
キーワード(4)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon Photonics
キーワード(5)(和/英) Ce:YIG / Ce:YIG
キーワード(6)(和/英) 有機金属分解法 / Metal Organic Decomposition
第 1 著者 氏名(和/英) 野口 道臣 / Michiomi Noguchi
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 2 著者 氏名(和/英) 庄司 雄哉 / Yuya Shoji
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 3 著者 氏名(和/英) 水本 哲弥 / Tetsuya Mizumoto
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
発表年月日 2018-12-06
資料番号 OPE2018-123,LQE2018-133,SIPH2018-39
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) OPE-348,LQE-349,SIPH-
ページ範囲 pp.131-134(OPE), pp.131-134(LQE), pp.131-134(SIPH),
ページ数 4
発行日 2018-11-29 (OPE, LQE)