| 講演名 | 2018-12-06 RAS法によるEr0.29Yb0.29Y1.42SiO5結晶を用いた導波路型光増幅器の作製 箕輪 映友子(電通大), 一色 秀夫(電通大), 近藤 史哉(電通大), 宮城 輝大(電通大), 中村 弦人(電通大), 霞 朋樹(電通大), |
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| 抄録(和) | シリコンフォトニクスの技術の進歩に伴い、チップ間での光配線が進み、さらにチップ内での光スイッチングの領域まで広がりを見せようとしている。その光集積システムにおける光導波路中での伝播光の減衰を補償するためには微小な光増幅素子の開発が不可欠である。これまで我々は、Er,Yb,Y,Si,Oを含む結晶の最適組成比を求め、solgel法によるEr_0.29Yb_0.29Y_0.42SiO_5結晶を用いた導波路型光増幅器の作製と評価を行ってきた。現在、Ybの添加による増感作用は明らかになっている。本研究では、RAS(Radical Assisted Sputtering)法によるEr_0.29Yb_0.29Y_0.42SiO_5結晶の特性を評価し、導波路型光増幅器を作製する。 |
| 抄録(英) | At present, in the field of information and communication technologies, silicon photo attracts attention. Since light attenuation occurs in silicon photonics, it is indispensable to develop a minute optical amplifying element. So far, we found the optimum composition ratio of crystals containing Er, Yb, Y, Si, O. We have fabricated and evaluated a waveguide type optical amplifier using Er_0.29Yb_0.29Y_0.42SiO_5crystal by the solgel method. In this research, we evaluate the characteristics of the Er_0.29Yb_0.29Y_0.42SiO_5 crystal by the Radical Assisted Sputtering (RAS) method, and fabricate a waveguide type optical amplifier. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / 光増幅器 / エルビウム |
| キーワード(英) | Silicon photonics / Optical amplifying / Erbium |
| 資料番号 | OPE2018-115,LQE2018-125,SIPH2018-31 |
| 発行日 | 2018-11-29 (OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / OPE |
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| 開催期間 | 2018/12/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | 慶應義塾大学 |
| 開催地（英） | Keio University |
| テーマ（和） | Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) |
| テーマ（英） | Photonic Device Workshop |
| 委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 佐藤 功紀(古河電工) |
| 委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) |
| 副委員長氏名（和） | 有賀 博(三菱電機) / 高橋 浩(上智大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RAS法によるEr0.29Yb0.29Y1.42SiO5結晶を用いた導波路型光増幅器の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Er0.29Yb0.29Y1.42SiO5 waveguide amplifier Radical Assisted Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(2)（和/英） | 光増幅器 / Optical amplifying |
| キーワード(3)（和/英） | エルビウム / Erbium |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 箕輪 映友子 / Ayuko Minowa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 一色 秀夫 / Hideo Isshiki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 近藤 史哉 / Fumiya Kondow |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮城 輝大 / Kodai Miyagi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 弦人 / Ghent Nakamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 霞 朋樹 / Tomoki Kasumi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2018-12-06 |
| 資料番号 | OPE2018-115,LQE2018-125,SIPH2018-31 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | OPE-348,LQE-349,SIPH- |
| ページ範囲 | pp.89-92(OPE), pp.89-92(LQE), pp.89-92(SIPH), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-29 (OPE, LQE) |