| 講演名 | 2018-12-06 ［招待講演］ワット級緑色および青色レーザダイオードの開発現状 村山 雅洋(ソニー), 中山 雄介(ソニー), 保科 幸男(ソニー), 渡邊 秀輝(ソニー), 川西 秀和(ソニー), 小山 享宏(ソニー), 風田川 統之(ソニー), 上村 俊也(豊田合成), 簗嶋 克典(ソニー), |
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| 抄録(和) | 我々は、レーザディスプレイ用光源としてワット級光出力を擁する緑色および青色のレーザダイオードを開発した。緑色レーザの作製には{20-21}面の半極性GaN基板を用い、発振波長530 nmで最大光出力が2 Wを超える高出力動作を実現した。EO変換効率においても、約1 W動作に相当するCW 1.2 A駆動において、WPE 17.5%を実現した。一方、青色レーザの作製にはc面GaN基板を用い、発振波長465 nmにおいて光出力5.2 W、WPE 37.0%の高出力・高効率動作を実現した。これらのレーザダイオードは、次世代映像規格であるBT.2020に準拠する発光波長を有しており、今後のディスプレイ応用に有望なレーザ光源である。 |
| 抄録(英) | We achieved high-power operation using 530-nm green and 465-nm blue laser diodes fabricated on semipolar {20-21} and c-plane GaN substrates, respectively. The green lasers had a maximum output power in excess of 2 W under continuous-wave operation, and the wall-plug efficiency was as high as 17.5% under an operation current of 1.2 A. The blue lasers exhibited an output power and wall-plug efficiency of 5.2 W and 37.0%, respectively, at a current of 3.0 A under continuous-wave operation. These laser diodes are promising light sources meeting the ITU-R Recommendation BT.2020 for future laser display applications. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / GaN / 半極性 |
| キーワード(英) | Laser Diode / GaN / Semipolar |
| 資料番号 | OPE2018-105,LQE2018-115,SIPH2018-21 |
| 発行日 | 2018-11-29 (OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / OPE |
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| 開催期間 | 2018/12/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | 慶應義塾大学 |
| 開催地（英） | Keio University |
| テーマ（和） | Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) |
| テーマ（英） | Photonic Device Workshop |
| 委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 佐藤 功紀(古河電工) |
| 委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) |
| 副委員長氏名（和） | 有賀 博(三菱電機) / 高橋 浩(上智大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］ワット級緑色および青色レーザダイオードの開発現状 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Watt-class Green and Blue Laser Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Laser Diode |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 半極性 / Semipolar |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村山 雅洋 / Masahiro Murayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 雄介 / Yusue Nakayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 保科 幸男 / Yukio Hoshina |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡邊 秀輝 / Hideki Watanabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川西 秀和 / Hidekazu Kawanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小山 享宏 / Takahiro Koyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 風田川 統之 / Noriyuki Fuutagawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 上村 俊也 / Toshiya Uemura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 豊田合成株式会社(略称：豊田合成) Toyoda Gosei Co., Ltd.(略称：Toyoda Gosei) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 簗嶋 克典 / Katsunori Yanashima |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 発表年月日 | 2018-12-06 |
| 資料番号 | OPE2018-105,LQE2018-115,SIPH2018-21 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | OPE-348,LQE-349,SIPH- |
| ページ範囲 | pp.39-42(OPE), pp.39-42(LQE), pp.39-42(SIPH), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-29 (OPE, LQE) |