| 講演名 | 2018-12-25 プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ 内海 大樹(東北学院大), 北原 邦紀(島根大), 塚田 真也(島根大), 鈴木 仁志(東北学院大), 原 明人(東北学院大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲルマニウム(poly-Ge)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。作製したTFTは, ソース・ドレイン(SD)領域を金属化することによって寄生抵抗を低減したアルミニウム(Al)元素置換横方向金属化SD (Al-LM-SD) 技術を採用している. On/off比は1.5×103, 移動度18 cm2/Vsを実現している. |
| 抄録(英) | Polycrystalline-germanium (poly-Ge) thin-film transistor (TFT) with double gate (DG) structure was fabricated via metal induced crystallization (MIC) using copper (Cu) on coated polyimide (PI) substrate. The fabricated TFT was adopted aluminum (Al) induced lateral metallization source drain (Al-LM-SD), which reduces parasitic resistance of SD. It realized on/off ratio of 1.5×103 and nominal mobility of 18 cm2/Vs. |
| キーワード(和) | 多結晶ゲルマニウム / プラスチック / フレキシブル / 薄膜トランジスタ / 金属誘起結晶化 |
| キーワード(英) | Poly-Ge / Plastic Substrate / Flexible / Thin-Film Transistor / TFT / Metal Induced Crystallization / MIC |
| 資料番号 | EID2018-4,SDM2018-77 |
| 発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
|---|---|
| 開催期間 | 2018/12/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小南 裕子(静岡大) / 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Double-Gate Cu-MIC Poly-Ge TFT on Plastic Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶ゲルマニウム / Poly-Ge |
| キーワード(2)（和/英） | プラスチック / Plastic Substrate |
| キーワード(3)（和/英） | フレキシブル / Flexible |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| キーワード(5)（和/英） | 金属誘起結晶化 / TFT |
| キーワード(6)（和/英） | / Metal Induced Crystallization |
| キーワード(7)（和/英） | / MIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 内海 大樹 / Hiroki Utsumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 北原 邦紀 / Kuninori Kitahara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 島根大学(略称：島根大) Shimane University(略称：Shimane Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塚田 真也 / Shinya Tsukada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 島根大学(略称：島根大) Shimane University(略称：Shimane Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 仁志 / Hitoshi Suzuki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原 明人 / Akito Hara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-12-25 |
| 資料番号 | EID2018-4,SDM2018-77 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | EID-379,SDM-380 |
| ページ範囲 | pp.1-4(EID), pp.1-4(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |