| 講演名 | 2018-12-07 0-1二次計画法によるプロセスばらつきを考慮したモデルベースマスク補正手法 東 梨奈(会津大), 小平 行秀(会津大), 松井 知己(東工大), 高橋 篤司(東工大), 児玉 親亮(東芝メモリ), 野嶋 茂樹(東芝メモリ), |
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| 抄録(和) | 半導体製造における回路パターンの限界寸法の縮小のため，光リソグラフィによる半導体加工技術の進歩が求められている．光リソグラフィの解像度を改善させる技術のうち，マスクの整形によってウェハ上に転写されるパタンの忠実性を改善する技術を光近接効果補正(Optical Proximity Correction, OPC)と呼び，光リソグラフィにおいて微細化の重要な役割を担っている．一般にOPCによるマスク補正手法はルールベースOPCとモデルベースOPCの2つのクラスに分けられ，微細化が進むにつれてモデルベースOPCの研究が広く行われている．本稿では，マスク補正問題をターゲットのパタン辺周りの光強度コントラストの最大化させる0-1二次計画問題に定式化し，Forcing Rule，勾配中間法，勾配判定法のそれぞれによって解くことで，設計パタンへの忠実性とプロセスばらつきへのマージンを同時に向上させるmodel-based OPCを提案する． |
| 抄録(英) | Due to continuous shrinking of Critical Dimensions (CD) of layout pattern in VLSI, advances of manufacturing process in optical lithography are required. As a main stream among resolution enhancement techniques, Optical Proximity Correction (OPC), which improves shape ?delity of formed patterns on wafers against designed target patterns by mask correction, is essential to achieve scale down of CD in the optical lithography. In general, mask correction methods in OPC are classi?ed into two classes: rule-based OPC and model-based OPC. Recently, model-based OPC is broadly studied. In this paper, we propose a model-based OPC which formulates the maximization of contrast of intensity around edges of target patterns as 0-1 Quadratic Programming, and which is solved by using Forcing Rule, Gradient Midpoint Method or Gradient Deciding Method. By these proposed methods, shape ?delity and tolerance against process variation are improved simultaneously. |
| キーワード(和) | リソグラフィ / リソグラフィシミュレーション / 光近接効果補正 / 製造容易設計 |
| キーワード(英) | lithography / lithography simulation / optical proximity correction (OPC) / design for manufacturability (DFM) |
| 資料番号 | VLD2018-70,DC2018-56 |
| 発行日 | 2018-11-28 (VLD, DC) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC |
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| 開催期間 | 2018/12/5(から3日開催) |
| 開催地（和） | サテライトキャンパスひろしま |
| 開催地（英） | Satellite Campus Hiroshima |
| テーマ（和） | デザインガイア2018 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2018 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 峯岸 孝行(三菱電機) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 本村 真人(北大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 田宮 豊(富士通研) / 渡辺 晴美(東海大) / 井上 弘士(九大) |
| 委員長氏名（英） | Noriyuki Minegishi(Mitsubishi Electric) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Laboratories) / 渡辺 晴美(東海大) / 井上 弘士(九大) |
| 副委員長氏名（和） | 戸川 望(早大) / 高橋 寛(愛媛大) / 入江 英嗣(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 佐野 健太郎(理研) / 武山 真弓(北見工大) / 永田 真(神戸大) / 木全 英明(NTT) / 児玉 和也(NII) |
| 副委員長氏名（英） | Nozomu Togawa(Waseda Univ.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hideaki Kimata(NTT) / Kazuya Kodama(NII) |
| 幹事氏名（和） | 新田 高庸(NTT) / 小平 行秀(会津大) / 金子 晴彦(東工大) / 新井 雅之(日大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 河村 圭(KDDI総合研究所) / 高橋 桂太(名大) / 柴田 誠也(NEC) / 密山 幸男(高知工科大) / 北村 崇師(産総研) / 高瀬 英希(京大) / 田中 清史(北陸先端大) / 早川 栄一(拓殖大) / 久住 憲嗣(九大) / 近藤 正章(東大) / 塩谷 亮太(東大) / 田中 美帆(富士通研) / 長谷川 揚平(東芝メモリ) |
| 幹事氏名（英） | Koyo Nitta(NTT) / Yukihide Odaira(Aizu Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Kei Kawamura(KDDI Research) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) / Seiya Shibata(NEC) / Yukio Mitsuyama(Kochi Univ. of Tech.) / 北村 崇師(産総研) / 高瀬 英希(京大) / 田中 清史(北陸先端大) / 早川 栄一(拓殖大) / 久住 憲嗣(九大) / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Ryota Shioya(Univ. of Tokyo) / 田中 美帆(富士通研) / Yohei Hasegawa(Toshiba Memory) |
| 幹事補佐氏名（和） | / / 伊藤 靖朗(広島大) / 津邑 公暁(名工大) / 小林 悠記(NEC) / 中原 啓貴(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 伊藤 浩之(東工大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(神戸大) / 早瀬 和也(NTT) / 松尾 康孝(NHK) / 岩崎 裕江(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | / / Yasuaki Ito(Hiroshima Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Kobe Univ.) / Kazuya Hayase(NTT) / Yasutaka Matsuo(NHK) / Hiroe Iwasaki(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 0-1二次計画法によるプロセスばらつきを考慮したモデルベースマスク補正手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Process Variation-aware Model-based OPC using 0-1 Quadratic Programming |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リソグラフィ / lithography |
| キーワード(2)（和/英） | リソグラフィシミュレーション / lithography simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 光近接効果補正 / optical proximity correction (OPC) |
| キーワード(4)（和/英） | 製造容易設計 / design for manufacturability (DFM) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 東 梨奈 / Rina Azuma |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 会津大学(略称：会津大) The University of Aizu(略称：Univ. of Aizu) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小平 行秀 / Yukihide Kohira |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 会津大学(略称：会津大) The University of Aizu(略称：Univ. of Aizu) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松井 知己 / Tomomi Matsui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 篤司 / Atsushi Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 児玉 親亮 / Chikaaki Kodama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 野嶋 茂樹 / Shigeki Nojima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 発表年月日 | 2018-12-07 |
| 資料番号 | VLD2018-70,DC2018-56 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | VLD-334,DC-335 |
| ページ範囲 | pp.209-214(VLD), pp.209-214(DC), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-11-28 (VLD, DC) |