| 講演名 | 2019-01-25 量子ドット発光ダイオードの作製と発光機構評価 佐野 翔一(阪府大), 高田 誠(阪府大), 永瀬 隆(阪府大), 小林 隆史(阪府大), 内藤 裕義(阪府大), |
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| 抄録(和) | 表面を化学修飾した量子ドット(QD)は塗布プロセスでのデバイス作製が可能な無機半導体材料である。そのため、量子発光ダイオード(QLED)は有機発光ダイオード(OLED)に代わる次世代のディスプレイ（8Kテレビ)材料として注目を集めている。典型的な構造のQLEDにおいて、正孔輸送層からQD層への正孔注入障壁が1 eV程度と大きいにも関わらず、Cd系の量子ドットを用いたQLEDにおいて高い外部量子効率を示す。本発表では、Cd系の量子ドットを用いたQLEDを塗布プロセスで作製し、その特性評価を行い、またデバイスシミュレーションを用いて発光機構について考察を行った。 |
| 抄録(英) | Quantum-dots (QDs) are solution-processed nanoscale crystals of semiconducting materials. Quantum-dot light-emitting diodes (QLEDs) are a competitive alternative to organic light-emitting diodes (OLEDs) and a potential candidate for next generation display (8K TV). Although in typical structure of QLEDs with Cd-based QDs, hole injection barrier from hole transport layer to the QD layer is about 1 eV, high current efficiency of the QLEDs was reported in literature. In this presentation, we have fabricated solution-processed QLEDs with Cd-based QDs, have evaluated the characteristics, and have investigated an emission mechanism. |
| キーワード(和) | 量子ドット (QD) / 量子ドット発光ダイオード(QLED) |
| キーワード(英) | Quantum-dot (QD), / Quantum-dot light-emitting diodes(QLED) |
| 資料番号 | EID2018-9 |
| 発行日 | 2019-01-17 (EID) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / ITE-IDY / IEIJ-SSL / SID-JC / IEE-EDD |
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| 開催期間 | 2019/1/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | 鹿児島大学 稲盛会館 |
| 開催地（英） | Kagoshima University |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小南 裕子(静岡大) / 藤崎 好英(NHK) |
| 委員長氏名（英） | 小南 裕子(静岡大) / Yoshihide Fujisaki(NHK) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 山口 留美子(秋田大) / 木村 宗弘(長岡技大) |
| 副委員長氏名（英） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 山口 留美子(秋田大) / Munehiro Kimura(Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 中村 篤志(静岡大) / 石鍋 隆宏(東北大) |
| 幹事氏名（英） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / Atsushi Nakamura(Shizuoka Univ.) / Takahiro Ishinabe(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 長谷川 拓哉(高知大) |
| 幹事補佐氏名（英） | 奥野 武志(ファーウェイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / Takuya Hasegawa(Koch Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Group on Information Display / * / Society for Information Display Japan Chapter / Technical Group on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 量子ドット発光ダイオードの作製と発光機構評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Opto-electric Characterization of Quantum-dot light-emitting diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット (QD) / Quantum-dot (QD), |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット発光ダイオード(QLED) / Quantum-dot light-emitting diodes(QLED) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐野 翔一 / Shoichi Sano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高田 誠 / Makoto Takada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永瀬 隆 / Takashi Nagase |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 隆史 / Takashi Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 内藤 裕義 / Hiroyoshi Naito |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-01-25 |
| 資料番号 | EID2018-9 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | EID-422 |
| ページ範囲 | pp.61-64(EID), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-17 (EID) |