講演名 2018-12-07
ブートストラップインバータを用いたRing-VCO
山本 晃徳(電通大), 範 公可(電通大),
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抄録(和) 本稿では,65nm SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide)プロセスで設計した,ブートストラップインバータを用いた低電圧,低消費電力で動作するRing-VCO(Voltage-Controlled Oscillator)を提案する.提案回路では,従来のブートストラップインバータに使用されているコンデンサの代わりにMOSキャパシタを用いることで回路面積を削減している.シミュレーション結果より,提案回路は電源電圧0.5 Vで890--935 MHzの発振周波数範囲を有し,920 MHzでの消費電力は58.5 ?W,オフセット周波数1 MHzでの位相雑音は-90.6 dBc/Hzであり,FoM(Figure of Merit)は-162.6を達成した.提案するRing-VCOはWireless Sensor Network(WSN)に用いられる無線センサ用途への期待ができる.
抄録(英) A Ring-VCO(Voltage-Controlled Oscillator) that operates with low voltage and low power consumption using a bootstrapped inverter has been proposed. This proposed circuit was designed using 65nm SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide) process. The circuit area was reduced by using a MOS capacitor instead of the capacitor used in the conventional bootstrapped inverter. As a result of simulation, it has an oscillation frequency range of 890--935 MHz with a supply voltage of 0.5 V, power consumption is 58.5?W at 920 MHz, phase noise is -90.6 dBc/Hz at a 1 MHz offset, and FoM(Figure of Merit) is achieved -162.6. The proposed Ring-VCO can be implemented for wireless sensor applications used for Wireless Sensor Network(WSN).
キーワード(和) Ring-VCO / MOSキャパシタ / 低消費電力 / 小回路面積 / WSN
キーワード(英) Ring-VCO / MOS capasitor / Low power consumption / Small circuit area / WSN
資料番号 CPM2018-92,ICD2018-53,IE2018-71
発行日 2018-11-28 (CPM, ICD, IE)

研究会情報
研究会 VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC
開催期間 2018/12/5(から3日開催)
開催地(和) サテライトキャンパスひろしま
開催地(英) Satellite Campus Hiroshima
テーマ(和) デザインガイア2018 -VLSI設計の新しい大地-
テーマ(英) Design Gaia 2018 -New Field of VLSI Design-
委員長氏名(和) 峯岸 孝行(三菱電機) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 本村 真人(北大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 田宮 豊(富士通研) / 渡辺 晴美(東海大) / 井上 弘士(九大)
委員長氏名(英) Noriyuki Minegishi(Mitsubishi Electric) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Laboratories) / 渡辺 晴美(東海大) / 井上 弘士(九大)
副委員長氏名(和) 戸川 望(早大) / 高橋 寛(愛媛大) / 入江 英嗣(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 佐野 健太郎(理研) / 武山 真弓(北見工大) / 永田 真(神戸大) / 木全 英明(NTT) / 児玉 和也(NII)
副委員長氏名(英) Nozomu Togawa(Waseda Univ.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hideaki Kimata(NTT) / Kazuya Kodama(NII)
幹事氏名(和) 新田 高庸(NTT) / 小平 行秀(会津大) / 金子 晴彦(東工大) / 新井 雅之(日大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 河村 圭(KDDI総合研究所) / 高橋 桂太(名大) / 柴田 誠也(NEC) / 密山 幸男(高知工科大) / 北村 崇師(産総研) / 高瀬 英希(京大) / 田中 清史(北陸先端大) / 早川 栄一(拓殖大) / 久住 憲嗣(九大) / 近藤 正章(東大) / 塩谷 亮太(東大) / 田中 美帆(富士通研) / 長谷川 揚平(東芝メモリ)
幹事氏名(英) Koyo Nitta(NTT) / Yukihide Odaira(Aizu Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Kei Kawamura(KDDI Research) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) / Seiya Shibata(NEC) / Yukio Mitsuyama(Kochi Univ. of Tech.) / 北村 崇師(産総研) / 高瀬 英希(京大) / 田中 清史(北陸先端大) / 早川 栄一(拓殖大) / 久住 憲嗣(九大) / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Ryota Shioya(Univ. of Tokyo) / 田中 美帆(富士通研) / Yohei Hasegawa(Toshiba Memory)
幹事補佐氏名(和) / / 伊藤 靖朗(広島大) / 津邑 公暁(名工大) / 小林 悠記(NEC) / 中原 啓貴(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 伊藤 浩之(東工大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(神戸大) / 早瀬 和也(NTT) / 松尾 康孝(NHK) / 岩崎 裕江(NTT)
幹事補佐氏名(英) / / Yasuaki Ito(Hiroshima Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Kobe Univ.) / Kazuya Hayase(NTT) / Yasutaka Matsuo(NHK) / Hiroe Iwasaki(NTT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture
本文の言語 JPN
タイトル(和) ブートストラップインバータを用いたRing-VCO
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Ring-VCO Using Bootstrap Inverter
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Ring-VCO / Ring-VCO
キーワード(2)(和/英) MOSキャパシタ / MOS capasitor
キーワード(3)(和/英) 低消費電力 / Low power consumption
キーワード(4)(和/英) 小回路面積 / Small circuit area
キーワード(5)(和/英) WSN / WSN
第 1 著者 氏名(和/英) 山本 晃徳 / Akinori Yamamoto
第 1 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
University of Electro-Communications(略称:UEC)
第 2 著者 氏名(和/英) 範 公可 / Cong-Kha Pham
第 2 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
University of Electro-Communications(略称:UEC)
発表年月日 2018-12-07
資料番号 CPM2018-92,ICD2018-53,IE2018-71
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) CPM-336,ICD-337,IE-338
ページ範囲 pp.21-25(CPM), pp.21-25(ICD), pp.21-25(IE),
ページ数 5
発行日 2018-11-28 (CPM, ICD, IE)