講演名 2018-12-06
平坦な周波数特性を有するミリ波帯CMOS増幅回路の設計法
香原 翔太(広島大), 天川 修平(広島大), 吉田 毅(広島大), 藤島 実(広島大),
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抄録(和) ミリ波帯の応用技術として広い通信帯域を利用した高速無線通信が期待されている.これを実現するためにはミリ波帯で動作する広帯域に均一な特性を有する増幅器が必要となる.周波数特性の平坦化には段間の整合をどのように行うかが重要となる.従来手法ではこの部分にトランスを用いる手法が一般的であるが,トランスを用いた場合,チップ面積の拡大が難点となる.並列のインダクタと直列のキャパシタによって構成されるπ型整合回路であれば,省面積でのレイアウトが可能となる.本研究では,π型整合回路がLCラダーフィルタと同様の構成をしていることに着目し,フィルタ同様に極を分配配置することで増幅器の広帯域化・特性平坦化を行う手法について理想素子による検討を行った.
抄録(英) High-speed wireless communication using a wideband in the millimeter wave is expected. In order to realize this, millimeter-wave amplifiers required wideband and flat characteristics. The nter-stage matching is important for board band characterization. Conventionally, using a transformer is common, but it expands the chip area. A π-type matching network constituted by parallel inductors and a series capacitor has a compact layout. This research focus the π-type matching network has the same structure as the LC ladder filter. We propose a method for wideband/flattening by distributing and arranging the poles like a filter, which is realized by ideal elements.
キーワード(和) CMOS / ミリ波 / 増幅器 / 平坦化
キーワード(英) CMOS / Millimeter-wave / Amplifier / Characterization flattening
資料番号 CPM2018-90,ICD2018-51,IE2018-69
発行日 2018-11-28 (CPM, ICD, IE)

研究会情報
研究会 VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC
開催期間 2018/12/5(から3日開催)
開催地(和) サテライトキャンパスひろしま
開催地(英) Satellite Campus Hiroshima
テーマ(和) デザインガイア2018 -VLSI設計の新しい大地-
テーマ(英) Design Gaia 2018 -New Field of VLSI Design-
委員長氏名(和) 峯岸 孝行(三菱電機) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 本村 真人(北大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 田宮 豊(富士通研) / 渡辺 晴美(東海大) / 井上 弘士(九大)
委員長氏名(英) Noriyuki Minegishi(Mitsubishi Electric) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Laboratories) / 渡辺 晴美(東海大) / 井上 弘士(九大)
副委員長氏名(和) 戸川 望(早大) / 高橋 寛(愛媛大) / 入江 英嗣(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 佐野 健太郎(理研) / 武山 真弓(北見工大) / 永田 真(神戸大) / 木全 英明(NTT) / 児玉 和也(NII)
副委員長氏名(英) Nozomu Togawa(Waseda Univ.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hideaki Kimata(NTT) / Kazuya Kodama(NII)
幹事氏名(和) 新田 高庸(NTT) / 小平 行秀(会津大) / 金子 晴彦(東工大) / 新井 雅之(日大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 河村 圭(KDDI総合研究所) / 高橋 桂太(名大) / 柴田 誠也(NEC) / 密山 幸男(高知工科大) / 北村 崇師(産総研) / 高瀬 英希(京大) / 田中 清史(北陸先端大) / 早川 栄一(拓殖大) / 久住 憲嗣(九大) / 近藤 正章(東大) / 塩谷 亮太(東大) / 田中 美帆(富士通研) / 長谷川 揚平(東芝メモリ)
幹事氏名(英) Koyo Nitta(NTT) / Yukihide Odaira(Aizu Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Kei Kawamura(KDDI Research) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) / Seiya Shibata(NEC) / Yukio Mitsuyama(Kochi Univ. of Tech.) / 北村 崇師(産総研) / 高瀬 英希(京大) / 田中 清史(北陸先端大) / 早川 栄一(拓殖大) / 久住 憲嗣(九大) / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Ryota Shioya(Univ. of Tokyo) / 田中 美帆(富士通研) / Yohei Hasegawa(Toshiba Memory)
幹事補佐氏名(和) / / 伊藤 靖朗(広島大) / 津邑 公暁(名工大) / 小林 悠記(NEC) / 中原 啓貴(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 伊藤 浩之(東工大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(神戸大) / 早瀬 和也(NTT) / 松尾 康孝(NHK) / 岩崎 裕江(NTT)
幹事補佐氏名(英) / / Yasuaki Ito(Hiroshima Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Kobe Univ.) / Kazuya Hayase(NTT) / Yasutaka Matsuo(NHK) / Hiroe Iwasaki(NTT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture
本文の言語 JPN
タイトル(和) 平坦な周波数特性を有するミリ波帯CMOS増幅回路の設計法
サブタイトル(和)
タイトル(英) Design method of millimeter wave CMOS amplifier circuit with flat frequency characteristics
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS
キーワード(2)(和/英) ミリ波 / Millimeter-wave
キーワード(3)(和/英) 増幅器 / Amplifier
キーワード(4)(和/英) 平坦化 / Characterization flattening
第 1 著者 氏名(和/英) 香原 翔太 / Shota Kohara
第 1 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 天川 修平 / Shuhei Amakawa
第 2 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 吉田 毅 / Takeshi Yoshida
第 3 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 藤島 実 / Minoru Fujishima
第 4 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
発表年月日 2018-12-06
資料番号 CPM2018-90,ICD2018-51,IE2018-69
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) CPM-336,ICD-337,IE-338
ページ範囲 pp.13-16(CPM), pp.13-16(ICD), pp.13-16(IE),
ページ数 4
発行日 2018-11-28 (CPM, ICD, IE)