| 講演名 | 2018-11-30 GaN系フォトニック結晶レーザ実現のためのMOVPE空孔形成法の検討 小泉 朋朗(スタンレー電気), 江本 渓(スタンレー電気), 石崎 賢司(京大), デ ゾイサ メーナカ(京大), 田中 良典(京大), 園田 純一(スタンレー電気), 野田 進(京大), |
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| 抄録(和) | 本稿では，青紫波長域のGaN系のフォトニック結晶レーザー実現のためのフォトニック結晶の形成法，すなわち周期的な空孔をGaN膜中に埋め込む手法について検討した結果を報告する．まず，様々な温度でのアニールによるマストランスポートを用いた空孔閉塞法を検討し，マストランスポートによる空孔の埋め込みのメカニズムおよび得られた表面状態について検討した結果を述べる．続いて，もう一つの空孔埋め込み法として，新たに，ファセット成長（{1-101}面の選択成長）とアニールを組み合わせた方法について検討し，前者に比べ，後者がより平坦な表面（表面粗さ0.4nm程度以下）状態を得る上で有効であることを見出した．以上より，ファセット成長およびアニール法を用いた空孔埋め込み法を用いることで，より良質の活性層を有する青紫波長域GaN系フォトニック結晶レーザーの実現が可能なると期待される． |
| 抄録(英) | In this report, we propose fabrication methods of air-hole-embedded photonic-crystals to realize blue-violet GaN-based photonic-crystal lasers. First we utilize the mass-transport technique at various temperatures to embed the air-holes into GaN layers. We discuss the embedding-mechanism based on the mass-transportation in detail, and also the surface morphology. In addition, we also propose a new embedding technique by combining selective {1-101} facet growth and post-annealing. We found that the new technique is effective for embedding holes in GaN films with flat surface morphology (roughness < 0.4nm). This new fabrication technique is expected to realize blue-violet GaN-based photonic-crystal surface emitting lasers with high quality active layers. |
| キーワード(和) | フォトニック結晶レーザー / 半導体レーザー / フォトニック結晶 |
| キーワード(英) | Photonic crystal laser / Laser diode / Photonic crystal |
| 資料番号 | ED2018-52,CPM2018-86,LQE2018-106 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系フォトニック結晶レーザ実現のためのMOVPE空孔形成法の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of holes in GaN by MOVPE for realization of photonic-crystal lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶レーザー / Photonic crystal laser |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザー / Laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小泉 朋朗 / Tomoaki Koizumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | スタンレー電気株式会社(略称：スタンレー電気) Stanley Electric CO., LTD.(略称：Stanley Electric CO., LTD.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江本 渓 / Kei Emoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | スタンレー電気株式会社(略称：スタンレー電気) Stanley Electric CO., LTD.(略称：Stanley Electric CO., LTD.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石崎 賢司 / Kenji Ishizaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | デ ゾイサ メーナカ / De Zoysa Menaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田中 良典 / Yochinori Tanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 園田 純一 / Junichi Sonoda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | スタンレー電気株式会社(略称：スタンレー電気) Stanley Electric CO., LTD.(略称：Stanley Electric CO., LTD.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 野田 進 / Susumu Noda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-11-30 |
| 資料番号 | ED2018-52,CPM2018-86,LQE2018-106 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.91-94(ED), pp.91-94(CPM), pp.91-94(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |