| 講演名 | 2018-11-01 極薄バリヤ上のCu(111)配向制御 武山 真弓(北見工大), 佐藤 勝(北見工大), |
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| 抄録(和) | Ｓi-LSIにおいて、最もエレクトロマイグレーション耐性に優れるCu(111)を高配向成長させるための下地材料として、TaWN膜を提案し、その配向制御と拡散バリヤ性能を検討した。これまでは、拡散バリヤ材料とCu(111)面を高配向成長させる下地材料はそれぞれ異なるものであったが、我々はそれらの２つの機能を有する材料を模索してきた。その結果、5nmの膜厚のTaWN膜上にCu(111)面が高配向でき、かつ700℃1時間の熱処理後においてもCuの拡散が生じていないことを実証することができた。したがって、TaWN膜は、Cu(111)配向を実現できる下地材料であると共に、Cuの拡散を高温まで抑制できる優れたバリヤ材料として機能することが明らかになった。 |
| 抄録(英) | In order to improve an electromaigration resistance, we examine the Cu grain orientation control on the thin barrier with good barrier properties. We demonstrate a highly oriented Cu(111) film on 5-nm-thick TaWN barrier even in the as-deposited Cu/TaWN/Si specimen. Moreover, the Cu/TaWN/Si system can keep stable up to the annealing at 700 ?C for 1 h without Ta- or Cu-silicides formation. We can obtain both the underlying material realizing the highly (111) oriented Cu interconnects and the diffusion barrier with sufficient barrier properties. |
| キーワード(和) | LSI / Cu配線 / TaWN膜 / 拡散バリヤ / Cu(111)配向 |
| キーワード(英) | LSI / Cu interconnects / TaWN film / diffusion barrier / Cu(111) orientation |
| 資料番号 | CPM2018-46 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / IEE-MAG |
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| 開催期間 | 2018/11/1(から2日開催) |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | Machinaka campus Nagaoka |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectric materials, transparent conductors, semiconductors, etc.) Thin film processes / materials / devices, etc. |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山口 正洋(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Masahiro Yamaguchi(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) / 小原 学(明治大) / 山田 啓壽(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Gaku Ohara(Meiji Univ.) / Keiji Yamada(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Meeting on Magnetics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極薄バリヤ上のCu(111)配向制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Orientation control of Cu(111) on extremely thin barrier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(2)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(3)（和/英） | TaWN膜 / TaWN film |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(5)（和/英） | Cu(111)配向 / Cu(111) orientation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Tech) |
| 発表年月日 | 2018-11-01 |
| 資料番号 | CPM2018-46 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CPM-276 |
| ページ範囲 | pp.25-28(CPM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |