| 講演名 | 2018-11-01 高分子圧電体膜(P(VDF-TrFE))をゲート絶縁膜に用いたZnO-FET 岡山 琢哉(東京理科大), 松本 周作(東京理科大), 古川 昭雄(東京理科大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | CPM2018-43 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / IEE-MAG |
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| 開催期間 | 2018/11/1(から2日開催) |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | Machinaka campus Nagaoka |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectric materials, transparent conductors, semiconductors, etc.) Thin film processes / materials / devices, etc. |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山口 正洋(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Masahiro Yamaguchi(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) / 小原 学(明治大) / 山田 啓壽(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Gaku Ohara(Meiji Univ.) / Keiji Yamada(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Meeting on Magnetics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高分子圧電体膜(P(VDF-TrFE))をゲート絶縁膜に用いたZnO-FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ZnO-FET with P(VDF-TrFE) Piezoelectronic Film for Gate Insulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡山 琢哉 / Takuya Okayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：Tokyo Univ. of Science) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 周作 / Shusaku Matusmoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：Tokyo Univ. of Science) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古川 昭雄 / Akio Furukawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：Tokyo Univ. of Science) |
| 発表年月日 | 2018-11-01 |
| 資料番号 | CPM2018-43 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CPM-276 |
| ページ範囲 | pp.11-14(CPM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |