講演名 2018-11-30
GaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの実現に向けた最近の進展
王 科(理研), 王 利(理研), 林 宗澤(理研), 平山 秀樹(理研),
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抄録(和)
抄録(英) The potential GaN/AlGaN THz QCL has been analyzed theoretically in details. Room temperature THz lasing is predicted and active region designs are proposed. Some designed structures with more than 200 periods have been grown by MBE. Double metal waveguide processing is under development based on MBE QCL structures grown on MOCVD AlGaN-on-Si.
キーワード(和) テラヘルツ / 量子カスケードレザ / MBE / GaN
キーワード(英) QCL / THz / GaN / MBE
資料番号 ED2018-51,CPM2018-85,LQE2018-105
発行日 2018-11-22 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 ED / LQE / CPM
開催期間 2018/11/29(から2日開催)
開催地(和) 名古屋工業大学
開催地(英) Nagoya Inst. tech.
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies
委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大)
委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)
副委員長氏名(和) 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大)
副委員長氏名(英) Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.)
幹事氏名(和) 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ)
幹事氏名(英) Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT)
幹事補佐氏名(和) 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大)
幹事補佐氏名(英) Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 ENG-JTITLE
タイトル(和) GaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの実現に向けた最近の進展
サブタイトル(和)
タイトル(英) Recent Progress towards realizing GaN/AlGaN Quantum Cascade Lasers
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ / QCL
キーワード(2)(和/英) 量子カスケードレザ / THz
キーワード(3)(和/英) MBE / GaN
キーワード(4)(和/英) GaN / MBE
第 1 著者 氏名(和/英) 王 科 / Ke Wang
第 1 著者 所属(和/英) 理化学研究所(略称:理研)
RIKEN(略称:RIKEN)
第 2 著者 氏名(和/英) 王 利 / Li Wang
第 2 著者 所属(和/英) 理化学研究所(略称:理研)
RIKEN(略称:RIKEN)
第 3 著者 氏名(和/英) 林 宗澤 / Lin Tsung Tse
第 3 著者 所属(和/英) 理化学研究所(略称:理研)
RIKEN(略称:RIKEN)
第 4 著者 氏名(和/英) 平山 秀樹 / Hideki Hirayama
第 4 著者 所属(和/英) 理化学研究所(略称:理研)
RIKEN(略称:RIKEN)
発表年月日 2018-11-30
資料番号 ED2018-51,CPM2018-85,LQE2018-105
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) ED-330,CPM-331,LQE-332
ページ範囲 pp.87-90(ED), pp.87-90(CPM), pp.87-90(LQE),
ページ数 4
発行日 2018-11-22 (ED, CPM, LQE)