| 講演名 | 2018-11-30 SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ 飯田 涼介(名城大), 林 菜摘(*), 村永 亘(名城大), 岩山 章(名城大), 竹内 哲也(名城大), 上山 智(名城大), 岩谷 素顕(名城大), 赤﨑 勇(名城大/名大), |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO2埋め込み構造における埋め込み層厚と存在しうるモードの関係を計算した。続いて、必要な埋め込み厚を有する構造の作製工程を最適化した。最後に、このSiO2埋め込み構造を面発光レーザに適用し、室温連続動作時におけるしきい値電流の低減と導波構造の存在を示す高次モードを観測した。最大光出力は2.7 mWであり、外部微分量子効率は11%であった。 |
| 抄録(英) | We have investigated buried SiO2 optical waveguide structures towards low threshold current in GaN-based vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs). In this study, a relation between the buried SiO2 thickness and all the possible modes were calculated. Then, we have optimized a fabrication process of the structure with a sufficient buried SiO2 thickness. Finally, we fabricated GaN-based VCSELs with the buried SiO2 structure. We then demonstrated a room-temperature continuous-wave operation of the VCSEL, showing a reduction of the threshold current and the operation with higher-order modes due to waveguide structure. The maximum light output power was 2.7 mW, and an external differential quantum efficiency was 11%. |
| キーワード(和) | GaN / 面発光レーザ / 光閉じ込め |
| キーワード(英) | GaN / VCSEL / waveguide |
| 資料番号 | ED2018-47,CPM2018-81,LQE2018-101 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN-based verticalcavity surfaceemitting lasers with buried SiO2 optical waveguide structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 面発光レーザ / VCSEL |
| キーワード(3)（和/英） | 光閉じ込め / waveguide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 飯田 涼介 / Iida Ryosuke |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 菜摘 / Natsumi Hayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | *(略称：*) *(略称：*) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村永 亘 / Wataru Muranaga |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩山 章 / Syo Iwayama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学(略称：名城大/名大) Meijo University/Nagoya University(略称：Meijo Univ./Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-11-30 |
| 資料番号 | ED2018-47,CPM2018-81,LQE2018-101 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.71-74(ED), pp.71-74(CPM), pp.71-74(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |