| 講演名 | 2018-11-30 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 梅村 将成(名工大), 市村 正也(名工大), |
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| 抄録(和) | AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及している。その反面、現在まで導電膜としての応用例は殆どない。そこで我々は、導電性の発現を目指し、光化学堆積法によって不純物ドーピングしたAlOx薄膜を作製した。その結果、透明性を維持しながら導電性を示すAlOx薄膜の作製に成功した。本報告では、作製した透明導電AlOx薄膜の光学的・電気的特性の評価結果を示し、AlOx薄膜の半導体としての応用可能性を提案する。 |
| 抄録(英) | AlOx has many physical properties suitable for electronic devices such as wide bandgap and high dielectric breakdown electric field and is widely used as an insulating film due to its high insulating property. On the other hand, to date, there are almost no applications as a conductive film. In this research, we attempted to fabricate impurity-doped, conductive AlOx thin films by photochemical deposition method. We succeeded in producing AlOx thin films showing conductivity while maintaining transparency. In this work, we report the evaluation results of the optical and electrical properties of the prepared transparent conductive AlOx thin films and propose application of AlOx thin films as a semiconductor for electronics devices. |
| キーワード(和) | 光化学堆積(PCD)法 / 酸化アルミニウム (AlOx) / Cuドーピング / 半導体 / アニール / 抵抗率 / 透明薄膜 / オージェ電子分光法 |
| キーワード(英) | Photochemical deposition / Aluminum oxide / Cu doping / Semiconductor / Annealing / Resistivity / Transparent thin films / Auger electron spectroscopy |
| 資料番号 | ED2018-46,CPM2018-80,LQE2018-100 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and evaluation of p-type Cu-AlOx thin film by photochemical deposition method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光化学堆積(PCD)法 / Photochemical deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化アルミニウム (AlOx) / Aluminum oxide |
| キーワード(3)（和/英） | Cuドーピング / Cu doping |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体 / Semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | アニール / Annealing |
| キーワード(6)（和/英） | 抵抗率 / Resistivity |
| キーワード(7)（和/英） | 透明薄膜 / Transparent thin films |
| キーワード(8)（和/英） | オージェ電子分光法 / Auger electron spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梅村 将成 / Masanari Umemura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-11-30 |
| 資料番号 | ED2018-46,CPM2018-80,LQE2018-100 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.65-70(ED), pp.65-70(CPM), pp.65-70(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |