| 講演名 | 2018-11-29 n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 塩島 謙次(福井大), 前田 昌嵩(福井大), 三島 友義(法政大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning internal photoemission microscopy : SIPM)を行い、劣化過程の2次元評価を行った。電極の95%以上は、順方向特性で良好な直線性とノイズフロア(0.1pA)以下の逆方向電流を示した。バイアス電圧なし(V=0V)のSIPM測定では均一な光電流像が得られた。SIPM測定測定後のI-V特性、顕微光鏡像に変化はなかった。一方、数%の電極はV=-50Vで10 pAオーダーの逆方向電流が検出された。この電極ではV=-36VのSIPM測定測定中、顕著に光電流が増加する領域が発生した。この領域は顕微鏡像でも確認され、I-V特性も劣化した。これらの結果より、SIPM法が電圧印加劣化の初期過程の評価に適していると考えられる。 |
| 抄録(英) | We applied scanning internal photoemission microscopy (SIPM) method to characterize the initial stage of the degradation by in-situ applying voltage stress. For the contacts with a slightly larger reverse current of around a pA order at -50 V, the photocurrent (Y) maps were also uniform at Vbias =0 V, but over Vbias = -36 V, the Y was intensively increased at small spots. After such SIPM measurements, the both forward and reverse I-V characteristics became leaky, and in the microscope image of the electrode, dark spots appeared in the same pattern as the Y map. We can conclude that the small portions of the electrode were degraded upon the SIPM measurement at Vbias = -36 V, and the leakage paths with lower Schottky barrier height were formed. |
| キーワード(和) | GaN / ショットキー電極 / 界面顕微光応答法 / 2次元評価 / 電圧印加劣化 |
| キーワード(英) | GaN / Schottky contacts / scanning internal photoemission microscopy / degradation by applying voltage stress |
| 資料番号 | ED2018-36,CPM2018-70,LQE2018-90 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー電極 / Schottky contacts |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元評価 / degradation by applying voltage stress |
| キーワード(5)（和/英） | 電圧印加劣化 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 昌嵩 / Masataka Maeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-11-29 |
| 資料番号 | ED2018-36,CPM2018-70,LQE2018-90 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.17-20(ED), pp.17-20(CPM), pp.17-20(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |