| 講演名 | 2018-11-15 ゲート電圧制御回路を用いた低歪GaN電力増幅器 鳥居 拓真(三菱電機), 半谷 政毅(三菱電機), 稲垣 隆二(三菱電機), 新庄 真太郎(三菱電機), |
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| 抄録(和) | 無線通信では通信容量を増加させるため，PAPR(Peak to Average Power Ratio)の大きい信号が扱われている．そのため，無線通信システム用の電力増幅器はPAPRの大きい信号を低歪に増幅する必要がある．本報告では，動作電力に応じて電力増幅器のバイアス級を制御することによる低歪化を検討した．動作電力に応じて利得，位相特性が平坦になるようにバイアス級を制御することで低歪化を施す．20GHz帯GaN(Gallium Nitride)電力増幅器に対してゲート電圧制御回路を適用して評価を行った結果，ゲート電圧を固定にする場合に比べてIM3<-30dBcとなる出力電力のダイナミックレンジが7dBから15dBに拡大し，低歪化の効果を確認できた． |
| 抄録(英) | In order to expand communication capability, high PAPR (Peak to Average Power Ratio) signal is used. Therefore power amplifier for wireless communication system is required to output linear signal with high PAPR. In this sturdy, adaptive gate bias control depending on operational power is considered. Gain and phase shift characteristic are flattened by control gate bias voltage. Dynamic range of output power under IM3 of -30dBc is enhanced to 15dB from 7dB by utilizing adaptive gate bias control. |
| キーワード(和) | Power Amplifier / GaN / Gate Bias / IM3 |
| キーワード(英) | Power Amplifier / GaN / Gate Bias / IM3 |
| 資料番号 | MW2018-95 |
| 発行日 | 2018-11-08 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2018/11/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 福江文化会館 |
| 開催地（英） | Fukue Cultural Hall |
| テーマ（和） | マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 村口 正弘(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Masahiro Muraguchi(TUS) |
| 副委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTT DOCOMO) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 中村 宝弘(日立) / 清水 隆志(宇都宮大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Nakamura(HITACHI) / Takashi Shimizu(Utsunomiya Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 本良 瑞樹(東北大) / 吉田 賢史(鹿児島大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) / Satoshi Yoshida(Kagoshima Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート電圧制御回路を用いた低歪GaN電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low distortion GaN Power Amplifier with adaptive gate bias control |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Power Amplifier / Power Amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Gate Bias / Gate Bias |
| キーワード(4)（和/英） | IM3 / IM3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鳥居 拓真 / Takuma Torii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi electric corporation(略称：Mitsubishi electric) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 半谷 政毅 / Masatake Hangai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi electric corporation(略称：Mitsubishi electric) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 稲垣 隆二 / Ryuji Inagaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi electric corporation(略称：Mitsubishi electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi electric corporation(略称：Mitsubishi electric) |
| 発表年月日 | 2018-11-15 |
| 資料番号 | MW2018-95 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | MW-308 |
| ページ範囲 | pp.19-23(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-11-08 (MW) |