| 講演名 | 2018-11-30 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET 細見 大樹(名工大), 古岡 啓太(名工大), 陳 ?(名工大), 斉藤 早紀(名工大), 久保 俊晴(名工大), 江川 孝志(名工大), 三好 実人(名工大), |
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| 抄録(和) | 新規AlGaNチャネルHFET構造として，バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造を有機金属気相成長法により成長し，構造評価および電気特性評価を実施した．構造評価結果より，バリア層InNモル分率の高い構造では，バリア層の面内格子歪みが減少し，クラックの少ない平坦な面が得られることが確認された．そのように歪み制御されたAlGaInN/AlGaNヘテロ構造の2次元電子ガス特性は，900℃の高温アニールを施してもほとんど劣化せず，高い熱的安定性を示すことが確認された．試作したAlGaInN/AlGaN MIS-HFETデバイスは，良好なピンチオフ特性を示し，コンタクト抵抗は10.5 Ωmmであった．更に，約2.5 kVという高いオフ耐圧を示した． |
| 抄録(英) | Novel AlGaN-channel heterostructures employing quaternary AlGaInN barriers were grown by metalorganic chemical vapor deposition, and their structural and electrical characteristics were evaluated. The structural characterizations confirmed that a sample with an In-rich barrier layer exhibited a small in-plane strain in the barrier layer and crack-free smooth surface morphology. The strain-controlled AlGaInN/AlGaN heterostructure showed an excellent thermal stability in its 2DEG properties even at high temperature up to 900°C. In addition, a fabricated MIS-HFET device exhibited good pinch-off characteristics with a contact resistance of 10.5 Ωmm. Furthermore, an extremely high off-state breakdown voltage of approximately 2.5 kV was obtained for the device. |
| キーワード(和) | パワーデバイス / AlGaNチャネルHFET / MOCVD / AlGaInN |
| キーワード(英) | Power device / AlGaN-channel HFET / MOCVD / AlGaInN |
| 資料番号 | ED2018-41,CPM2018-75,LQE2018-95 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 2.5-kV-breakdown-voltage AlGaN-channel HFET with a strain-controlled AlGaInN barrier layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーデバイス / Power device |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaNチャネルHFET / AlGaN-channel HFET |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 細見 大樹 / Daiki Hosomi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古岡 啓太 / Keita Furuoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 陳 ? / Heng Chen |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 斉藤 早紀 / Saki Saito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-11-30 |
| 資料番号 | ED2018-41,CPM2018-75,LQE2018-95 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.41-44(ED), pp.41-44(CPM), pp.41-44(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |