講演名 | 2018-11-30 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 岡田 英之(愛媛大), 寺迫 智昭(愛媛大), 五丁 健治(愛媛大), 林本 直也(愛媛大), |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | 硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加及びリチウム(Li)添加酸化銅(II)(CuO)薄膜を成長した.無添加及びLi添加CuO薄膜の表面はともにランダムに分布したニードル状ナノ構造で覆われており,断面はプレート状構造から構成されていた.無添加薄膜では,Auシード層の結晶粒サイズの増加とともにニードル状ナノ構造のサイズが増大し,抵抗率は減少した.しかしながら,ニードル状ナノ構造のサイズと抵抗率に溶液濃度依存性は見出されなかった.Li添加薄膜においては,LiNO3濃度の増加に伴ってニードル状ナノ構造のサイズの増加し,抵抗率はLiNO3濃度3~5 μMの範囲で最小となった. |
抄録(英) | Undoped and Li-doped CuO films were grown on Au seed layers by chemical bath deposition (CBD) using the mixed aqueous solutions of Cu(NO3)2・3H2O and LiNO3. Surfaces of the undoped and Li-doped films were covered with the randomly distributed needle-like nanostructures, and their cross sections were composed of the plate-like grains. For the undoped films, the increase in the grain size of the Au seed layer resulted in the increase in the average grain size of the needle-like nanostructures and the decrease in the resistivity. However, both the grain size of the needle-like nanostructure and resistivity were independent of the concentration of the CBD solution. For the Li doped films, the average grain size of the needle-like nanostructures increased with increasing the LiNO3 concentration in the CBD solution. Minimum resistivity values of the Li doped films were achieved in the LiNO3 concentration range from 3 to 5 μM. |
キーワード(和) | 酸化銅(II) / 化学溶液析出法 / シード層 / X線回折 / 走査型電子顕微鏡 / 抵抗率 |
キーワード(英) | CuO / Chemical Bath Deposition / Seed Layer / X-ray Diffraction / Scanning Electron Microscope / Resistivity |
資料番号 | ED2018-43,CPM2018-77,LQE2018-97 |
発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
研究会情報 | |
研究会 | ED / LQE / CPM |
---|---|
開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
開催地(和) | 名古屋工業大学 |
開催地(英) | Nagoya Inst. tech. |
テーマ(和) | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
委員長氏名(和) | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
委員長氏名(英) | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
副委員長氏名(和) | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
副委員長氏名(英) | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
幹事氏名(和) | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
幹事氏名(英) | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
幹事補佐氏名(和) | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
幹事補佐氏名(英) | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Chemical Bath Deposition of Undoped and Li Doped CuO Films and Thier Structural and Electrical Properties |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 酸化銅(II) / CuO |
キーワード(2)(和/英) | 化学溶液析出法 / Chemical Bath Deposition |
キーワード(3)(和/英) | シード層 / Seed Layer |
キーワード(4)(和/英) | X線回折 / X-ray Diffraction |
キーワード(5)(和/英) | 走査型電子顕微鏡 / Scanning Electron Microscope |
キーワード(6)(和/英) | 抵抗率 / Resistivity |
第 1 著者 氏名(和/英) | 岡田 英之 / Hideyuki Okada |
第 1 著者 所属(和/英) | 愛媛大学(略称:愛媛大) Ehime University(略称:Ehime Univ.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 寺迫 智昭 / Tomoaki Terasako |
第 2 著者 所属(和/英) | 愛媛大学(略称:愛媛大) Ehime University(略称:Ehime Univ.) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 五丁 健治 / Kenji Gochoh |
第 3 著者 所属(和/英) | 愛媛大学(略称:愛媛大) Ehime University(略称:Ehime Univ.) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 林本 直也 / Naoya Hayashimoto |
第 4 著者 所属(和/英) | 愛媛大学(略称:愛媛大) Ehime University(略称:Ehime Univ.) |
発表年月日 | 2018-11-30 |
資料番号 | ED2018-43,CPM2018-77,LQE2018-97 |
巻番号(vol) | vol.118 |
号番号(no) | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
ページ範囲 | pp.49-54(ED), pp.49-54(CPM), pp.49-54(LQE), |
ページ数 | 6 |
発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |