| 講演名 | 2018-11-29 GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 梶原 瑛祐(東芝), 新留 彩(東芝), 彦坂 年輝(東芝), 蔵口 雅彦(東芝), 吉岡 啓(東芝デバイス&ストレージ), 布上 真也(東芝), |
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| 抄録(和) | リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する．これは，リセスエッチングで生じたGaN層のダメージを除去する表面処理プロセスとゲート絶縁膜アニールプロセスの導入により実現された．これら２つのプロセスはゲート絶縁膜/GaN界面の界面準位密度を低減し，その結果，チャネルのクーロン散乱が抑制されることでチャネル移動度が改善されることを明らかにした． |
| 抄録(英) | In the previous work, we studied on the channel mobility in the Normally-off recessed GaN-based metal-oxide-semiconductor field effect transistors (GaN-MOSFETs) and fabricated the GaN-MOSFET with improved channel mobility. The fabricated GaN-MOSFET is introduced the two processes: the long-time gate-dielectric SiO2 annealing after the deposition for the reducing charge-trap density in the SiO2 and the surface treatment under NH3 ambient after the recess etching process for removing the etching damage. From the analysis using the theoretical model based on Matthiessen’s rule, we show that the improvement of the channel mobility is achieved by reduction of the interface-trap density and suppression of Coulomb scattering in MOS-channel. |
| キーワード(和) | MOS型GaNパワーデバイス / リセス / チャネル移動度 / SiO2 |
| キーワード(英) | MOS-GaN power device / recess / channel mobility / SiO2 |
| 資料番号 | ED2018-35,CPM2018-69,LQE2018-89 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of channel mobility in GaN-MOS structure by surface treatment of recessed-GaN and dielectric SiO2 annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOS型GaNパワーデバイス / MOS-GaN power device |
| キーワード(2)（和/英） | リセス / recess |
| キーワード(3)（和/英） | チャネル移動度 / channel mobility |
| キーワード(4)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梶原 瑛祐 / Yosuke Kajiwara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba Corp.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新留 彩 / Aya Shindome |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba Corp.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 彦坂 年輝 / Toshiki Hikosaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba Corp.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 蔵口 雅彦 / Masahiko Kuraguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba Corp.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉岡 啓 / Akira Yoshioka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝デバイス&ストレージ株式会社(略称：東芝デバイス&ストレージ) Toshiba Electronic Device & Storage Corporation(略称：Toshiba Electronic Device & Storage Corp.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 布上 真也 / Shinya Nunoue |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba Corp.) |
| 発表年月日 | 2018-11-29 |
| 資料番号 | ED2018-35,CPM2018-69,LQE2018-89 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.13-16(ED), pp.13-16(CPM), pp.13-16(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |