| 講演名 | 2018-11-30 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 大島 一輝(金沢工大), 池田 優真(金沢工大), 坂井 繁太(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), 蟹谷 裕也(ソニー), 冨谷 茂隆(ソニー), |
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| 抄録(和) | InGaN量子井戸(QW)では、In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに、この揺らぎの度合いを評価するために様々な手法が提案されているが、手法によって得られる結果が必ずしも一致しないことが問題となっている。そこで本研究では、このポテンシャル揺らぎがレーザ特性に与える影響を議論するためには光学利得特性から直接揺らぎを評価するのが最も望ましいと考え、理論的な検討を行った。さらにInGaN-QWレーザにおける光励起誘導放出光測定を行い、しきい値励起光強度密度の温度依存性から揺らぎを評価する新たな手法を見出した。 |
| 抄録(英) | It is well-known that the characteristics of InGaN quantum-well (QW) laser diodes are strongly affected by the potential fluctuation (alloy compositional fluctuation and/or well-width fluctuation) in the active layers. Various methods to evaluate the degree of the potential fluctuation, have been proposed so far, but the estimated values are sometimes different depending on the estimation method. In this study, we have theoretically investigated the effects of the potential fluctuation on the lasing characteristics and have found a new method to evaluate the degree of fluctuation from the temperature dependence of the lasing threshold excitation power density. |
| キーワード(和) | InGaN量子井戸レーザ / ポテンシャル揺らぎ / 光励起誘導放出 / レーザ閾値 |
| キーワード(英) | InGaN quantum-well laser diodes / Potential fluctuation / Stimulated emission / Lasing threshold |
| 資料番号 | ED2018-49,CPM2018-83,LQE2018-103 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A new method to evaluate the degree of potential fluctuation in InGaN quantum-well laser diodes by optical-pump stimulated-emission measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸レーザ / InGaN quantum-well laser diodes |
| キーワード(2)（和/英） | ポテンシャル揺らぎ / Potential fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | 光励起誘導放出 / Stimulated emission |
| キーワード(4)（和/英） | レーザ閾値 / Lasing threshold |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大島 一輝 / Itsuki Oshima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. tec.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池田 優真 / Yuma Ikeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. tec.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. tec.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / A. A. Yamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. tec.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 発表年月日 | 2018-11-30 |
| 資料番号 | ED2018-49,CPM2018-83,LQE2018-103 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.79-82(ED), pp.79-82(CPM), pp.79-82(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |