| 講演名 | 2018-11-30 InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 藤田 貴志(金沢工大), 坂井 繁太(金沢工大), 池田 優真(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), 蟹谷 裕也(ソニー), 冨谷 茂隆(ソニー), |
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| 抄録(和) | InGaNはInNとGaNの混晶であり、組成を変えることでバンドギャップの調整ができる。InGaN量子井戸における組成揺らぎは光デバイスの特性に大きな影響を与えるため、その特性向上や新機能付加には電子状態の理解が必要である。組成揺らぎを評価する一つの指標として、キャリアの局在状態と非局在状態の境界のエネルギーであるMobility edgeを評価するという方法がある。しかしMobility edgeを求めることができるとされている実験は複数あり、それぞれが異なるモデルで説明されている。本研究ではこの揺らぎと関連するMobility edgeについて実験的・理論的に研究し、よく使われているMobility edgeの評価方法が必ずしも正しい結果を与えないことを明らかにした。 |
| 抄録(英) | The bandgap energy of InGaN alloy materials can be controlled by changing their alloy composition. Since the compositional fluctuation in the InGaN quantum well (QW) greatly affects the characteristics of optical devices, it is very important to understand the electronic structures of such fluctuated InGaN-QW systems for the improvement of their device characteristics. Mobility edge, which is the boundary energy between the localized and delocalized states, can be an index to evaluate the potential fluctuation of carriers. Several experiments, however, have been proposed to evaluate the mobility edge, and they give sometime different results each other. In this study, we experimentally and theoretically have studied on the evaluation method of mobility edge, and have revealed that the commonly-used evaluation method does not necessarily give accurate results. |
| キーワード(和) | InGaN量子井戸 / 組成揺らぎ / 光学特性 / Mobility edge |
| キーワード(英) | InGaN-QWs / Potential fluctuation / Optical characterization / Mobility edge |
| 資料番号 | ED2018-48,CPM2018-82,LQE2018-102 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN-QWs |
| キーワード(2)（和/英） | 組成揺らぎ / Potential fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | 光学特性 / Optical characterization |
| キーワード(4)（和/英） | Mobility edge / Mobility edge |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤田 貴志 / Takashi Fujita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 優真 / Yuma Ikeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 発表年月日 | 2018-11-30 |
| 資料番号 | ED2018-48,CPM2018-82,LQE2018-102 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.75-78(ED), pp.75-78(CPM), pp.75-78(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |