| 講演名 | 2018-11-08 ［招待講演］酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計 加藤 公彦(東大), 松井 裕章(東大), 田畑 仁(東大), 竹中 充(東大), 高木 信一(東大), |
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| 抄録(和) | 本研究では，超低消費電力な集積回路実現に向け，酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果トランジスタ（TFET）を提案する．酸化物半導体とIV族半導体を積層したbilayer 構造により，ゲートに対して垂直なトンネリングが活用可能であり，steep-slope トランジスタとして高いポテンシャルを有する．TCAD シミュレーションと素子作製・動作実証を並行して行い，材料選択や不純物濃度などの基礎的な素子パラメータに加え，膜厚不均一性や界面欠陥など素子作製時に生じる課題と電気特性に与える影響を広く調査し，高性能素子実現に向けた素子設計指針を示す． |
| 抄録(英) | A novel bilayer tunneling field effect transistor (TFET) employing an attractive material combination of oxide-semiconductors and group-IV-semiconductors with type-II energy band alignment is proposed, in this study. Based on TCAD simulation and experimental demonstration, high potential of the proposed bilayer TFET as a steep-slope device and impacts of key device parameters such as energy band alignment and impurity concentration on electrical performance of the bilayer TFET have been widely studied. Also, influences of channel thickness non-uniformity and interface state, which could be critical issues for realistic device fabrication, have been investigated. This comprehensive understanding leads a clear guideline for device design of high-performance bilayer TFETs. |
| キーワード(和) | トンネルトランジスタ / Steep-slope / 酸化物半導体 / IV族半導体 |
| キーワード(英) | Tunneling transistor / Steep-slope / Oxide semiconductor / Group-IV semiconductor |
| 資料番号 | SDM2018-66 |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2018/11/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Proposal and device design of tunneling field effect transistor with oxide semiconductor and group-IV semiconductor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルトランジスタ / Tunneling transistor |
| キーワード(2)（和/英） | Steep-slope / Steep-slope |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | IV族半導体 / Group-IV semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松井 裕章 / Hiroaki Matsui |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田畑 仁 / Hitoshi Tabata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高木 信一 / Shinichi Takagi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 発表年月日 | 2018-11-08 |
| 資料番号 | SDM2018-66 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-291 |
| ページ範囲 | pp.11-16(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) |