| 講演名 | 2018-11-02 ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 中澤 日出樹(弘前大), 中村 和樹(弘前大), 長内 公哉(弘前大), 郡山 春人(弘前大), 小林 康之(弘前大), 遠田 義晴(弘前大), 鈴木 裕史(弘前大), 末光 眞希(東北大), |
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| 抄録(和) | 希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-DLC)の膜特性へのアニール効果を調べ、窒素添加DLC(N-DLC)膜との比較を行った。N-DLC膜では420?C以上の真空中ポストアニールによってsp^(2)炭素のクラスター化が起こるが、Si-N-DLC膜では420?Cのアニールでもクラスター化がほぼ抑制されることがわかった。また、Si-N-DLC膜では420～490?Cのアニール後に結合水素量が明らかに増加した。Si-N-DLC膜の光学ギャップはN-DLC膜よりも大きく、490?Cのアニール後もほとんど変化しなかった。 |
| 抄録(英) | We have investigated the effects of post-annealing on the properties of silicon and nitrogen doped diamond-like carbon (Si-N-DLC) films, which were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using H_(2) as a dilution gas and compared the properties of the Si-N-DLC films with those of nitrogen doped DLC (N-DLC) films. We found that the clustering of sp^(2) carbon atoms was accelerated for the N-DLC films by post-annealing in a vacuum at a temperature of 420?C or above, whereas the sp^(2) C clustering was almost suppressed for the Si-N-DLC films. It was also found that the amount of bound hydrogen in the Si-N-DLC films obviously increased after annealing at temperatures of 420 to 490?C. The Si-N-DLC films had higher optical bands than the N-DLC films, and the optical band gap of the Si-N-DLC films remained almost unchanged after annealing even at 490?C. |
| キーワード(和) | ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / ケイ素 / 窒素 / ポストアニール |
| キーワード(英) | Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen / Post-annealing |
| 資料番号 | CPM2018-52 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / IEE-MAG |
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| 開催期間 | 2018/11/1(から2日開催) |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | Machinaka campus Nagaoka |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectric materials, transparent conductors, semiconductors, etc.) Thin film processes / materials / devices, etc. |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山口 正洋(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Masahiro Yamaguchi(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) / 小原 学(明治大) / 山田 啓壽(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Gaku Ohara(Meiji Univ.) / Keiji Yamada(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Meeting on Magnetics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal stability of silicon and nitrogen doped DLC thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | ケイ素 / Silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素 / Nitrogen |
| キーワード(5)（和/英） | ポストアニール / Post-annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 和樹 / Kazuki Nakamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長内 公哉 / Hiroya Osanai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 郡山 春人 / Haruto Koriyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 末光 眞希 / Maki Suemitsu |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-11-02 |
| 資料番号 | CPM2018-52 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CPM-276 |
| ページ範囲 | pp.99-104(CPM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |