| 講演名 | 2018-10-18 Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process Rengie Mark D. Mailig(東工大), Min Gee Kim(東工大), Shun-ichiro Ohmi(東工大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | In this paper, the reduction of the Schottky barrier height (SBH) of Pd2Si/Si(100) diodes by the dopant segregation (DS) process was investigated. Furthermore, the effects of the TiN encapsulating layer on the electrical and the physical properties Pd2Si/Si(100) SB diodes were examined. Smooth surface morphology and line edges were obtained for Pd2Si formed with TiN encapsulating layer. Results show that the low SBH to hole (qϕ_Bp) of the Pd2Si/n-Si(100) diodes with DS process was realized at 0.20 eV with ideality factor (n) of 1.11. |
| 抄録(英) | In this paper, the reduction of the Schottky barrier height (SBH) of Pd2Si/Si(100) diodes by the dopant segregation (DS) process was investigated. Furthermore, the effects of the TiN encapsulating layer on the electrical and the physical properties Pd2Si/Si(100) SB diodes were examined. Smooth surface morphology and line edges were obtained for Pd2Si formed with TiN encapsulating layer. Results show that the low SBH to hole (qϕ_Bp) of the Pd2Si/n-Si(100) diodes with DS process was realized at 0.20 eV with ideality factor (n) of 1.11. |
| キーワード(和) | Palladium Silicide / Dopant Segregation Process / Schottky Barrier Height / TiN Encapsulating Layer |
| キーワード(英) | Palladium Silicide / Dopant Segregation Process / Schottky Barrier Height / TiN Encapsulating Layer |
| 資料番号 | SDM2018-59 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2018/10/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Palladium Silicide / Palladium Silicide |
| キーワード(2)（和/英） | Dopant Segregation Process / Dopant Segregation Process |
| キーワード(3)（和/英） | Schottky Barrier Height / Schottky Barrier Height |
| キーワード(4)（和/英） | TiN Encapsulating Layer / TiN Encapsulating Layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | Rengie Mark D. Mailig / Rengie Mark D. Mailig |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Min Gee Kim / Min Gee Kim |
| 第 2 著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | Shun-ichiro Ohmi / Shun-ichiro Ohmi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-10-18 |
| 資料番号 | SDM2018-59 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-241 |
| ページ範囲 | pp.35-40(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |