講演名 2018-10-17
Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
妹川 要(九大), 田中 希(九大), 諏訪 輝(九大), 中村 大輔(九大), 佐道 泰造(九大), 後藤 哲也(東北大), 池上 浩(九大),
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抄録(和) Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブルSi TFTプロセス実現に向けての大きな課題となっている。我々はこれまで真空を用いない低温プロセスとしてリン酸塗布法によるKrFエキシマレーザードーピングについて報告してきた。本稿では、この方法によりドーピングを施したSi TFTのオーミックコンタクト形成について検討したので報告する。
抄録(英) There are some issues in printable Si TFT processes. In particlular, formation of ormic contact of silicon TFT requiers ion implantation and high temperature (~500 ℃) annealing processes. We reported about KrF excimer laser doping with a phosphoric acid coating as low-temperature process. In this paper, we report a formation of ormic contact using this method.
キーワード(和) 低温ポリシリコン / 薄膜トランジスタ / エキシマレーザードーピング / リン酸コーティング / コンタクト抵抗
キーワード(英) Low-temperature poly-Si / Thin-film-transistor / Excimer laser doping / Phosphoric acid coating / Contact resistivity
資料番号 SDM2018-54
発行日 2018-10-10 (SDM)

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2018/10/17(から2日開催)
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F
開催地(英) Niche, Tohoku Univ.
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術
テーマ(英) Process Science and New Process Technology
委員長氏名(和) 品田 高宏(東北大)
委員長氏名(英) Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
副委員長氏名(和) 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ)
副委員長氏名(英) Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic)
幹事氏名(和) 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー)
幹事氏名(英) Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY)
幹事補佐氏名(和) 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大)
幹事補佐氏名(英) Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 低温ポリシリコン / Low-temperature poly-Si
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin-film-transistor
キーワード(3)(和/英) エキシマレーザードーピング / Excimer laser doping
キーワード(4)(和/英) リン酸コーティング / Phosphoric acid coating
キーワード(5)(和/英) コンタクト抵抗 / Contact resistivity
第 1 著者 氏名(和/英) 妹川 要 / Kaname Imokawa
第 1 著者 所属(和/英) 九州大学(略称:九大)
Kyushu University(略称:Kyushu Univ)
第 2 著者 氏名(和/英) 田中 希 / Nozomu Tanaka
第 2 著者 所属(和/英) 九州大学(略称:九大)
Kyushu University(略称:Kyushu Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 諏訪 輝 / Akira Suwa
第 3 著者 所属(和/英) 九州大学(略称:九大)
Kyushu University(略称:Kyushu Univ)
第 4 著者 氏名(和/英) 中村 大輔 / Daisuke Nakamura
第 4 著者 所属(和/英) 九州大学(略称:九大)
Kyushu University(略称:Kyushu Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh
第 5 著者 所属(和/英) 九州大学(略称:九大)
Kyushu University(略称:Kyushu Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 後藤 哲也 / Tetsuya Goto
第 6 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)
第 7 著者 氏名(和/英) 池上 浩 / Hiroshi Ikenoue
第 7 著者 所属(和/英) 九州大学(略称:九大)
Kyushu University(略称:Kyushu Univ)
発表年月日 2018-10-17
資料番号 SDM2018-54
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) SDM-241
ページ範囲 pp.11-14(SDM),
ページ数 4
発行日 2018-10-10 (SDM)