講演名 2018-10-10
SFQ-CMOSハイブリッドメモリ構築に向けた超伝導ナノ構造トランジスタの設計と評価
佐野 京佑(名大), 丸山 晃平(名大), 田中 雅光(名大), 山下 太郎(名大/JSTさきがけ), 井上 真澄(名城大), 藤巻 朗(名大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 SCE2018-21
発行日 2018-10-03 (SCE)

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 2018/10/10(から2日開催)
開催地(和) 東北大学・電気通信研究所
開催地(英)
テーマ(和) 検出基盤技術及び応用、一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 明連 広昭(埼玉大)
委員長氏名(英) Hiroaki Myoren(Saitama Univ.)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和) 山下 太郎(名大) / 竹内 尚輝(横浜国大)
幹事氏名(英) Taro Yamashita(Nagoya Univ.) / Naoki Takeuchi(Yokohama National Univ.)
幹事補佐氏名(和) 赤池 宏之(大同大)
幹事補佐氏名(英) Hiroyuki Akaike(Daido Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Superconductive Electronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) SFQ-CMOSハイブリッドメモリ構築に向けた超伝導ナノ構造トランジスタの設計と評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Design and evaluation of superconducting nanostructured transistors for SFQ-CMOS hybrid memory
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 佐野 京佑 / Kyosuke Sano
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋大学(略称:名大)
Nagoya University(略称:Nagoya Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 丸山 晃平 / Kohei Maruyama
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学(略称:名大)
Nagoya University(略称:Nagoya Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 田中 雅光 / Masamitsu Tanaka
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学(略称:名大)
Nagoya University(略称:Nagoya Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 山下 太郎 / Taro Yamashita
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学/JSTさきがけ(略称:名大/JSTさきがけ)
Nagoya University/JST PRESTO(略称:Nagoya Univ./JST PRESTO)
第 5 著者 氏名(和/英) 井上 真澄 / Masumi Inoue
第 5 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 藤巻 朗 / Akira Fujimaki
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋大学(略称:名大)
Nagoya University(略称:Nagoya Univ.)
発表年月日 2018-10-10
資料番号 SCE2018-21
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) SCE-233
ページ範囲 pp.25-30(SCE),
ページ数 6
発行日 2018-10-03 (SCE)