| 講演名 | 2018-10-18 ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 市野 真也(東北大), 寺本 章伸(東北大), 黒田 理人(東北大), 間脇 武蔵(東北大), 諏訪 智之(東北大), 須川 成利(東北大), |
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| 抄録(和) | 高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす，しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ（RTN）といったMOSトランジスタの電気的特性ばらつきについて，一般的な長方形形状のトランジスタに加え，ソースとドレインのゲート幅が非対称な台形・八角形形状のトランジスタを用いて統計的解析を行った．ゲート形状が非対称なトランジスタではしきい値電圧ばらつき（σVth）がゲート面積により一意に定まらないことや，RTNの強度がソース側のW（WS）に依存すること，しきい値電圧ばらつきとRTNの相関関係等の考察から，飽和領域で動作させたトランジスタの特性はソース側の影響を強く受けることを多数のトランジスタの統計的解析により実証した． |
| 抄録(英) | In this paper, a statistical analysis of electric characteristics variabilities such as threshold voltage variability and random telegraph noise (RTN) which become obstacle to high accuracy analog circuit devices was discussed. In the measurement, trapezoidal and octagonal transistors which have asymmetric gate widths at source and drain side were used in addition to conventional rectangular transistors. From the statistical analysis of the asymmetric gate transistors, it is experimentally verified that the electric characteristics variability of the transistors driven in the saturation region are greatly influenced by the source side. |
| キーワード(和) | MOSFET / しきい値電圧ばらつき / ランダムテレグラフノイズ / 統計解析 / 非対称ゲート構造 |
| キーワード(英) | MOSFET / threshold voltage variability / random telegraph noise / statistical analysis / asymmetric gate structure |
| 資料番号 | SDM2018-62 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2018/10/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Statistical Analysis of Electric Characteristics Variability Using MOSFETs with Asymmetric Source and Drain |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | しきい値電圧ばらつき / threshold voltage variability |
| キーワード(3)（和/英） | ランダムテレグラフノイズ / random telegraph noise |
| キーワード(4)（和/英） | 統計解析 / statistical analysis |
| キーワード(5)（和/英） | 非対称ゲート構造 / asymmetric gate structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市野 真也 / Shinya Ichino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 間脇 武蔵 / Takezo Mawaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-10-18 |
| 資料番号 | SDM2018-62 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-241 |
| ページ範囲 | pp.51-56(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |