| 講演名 | 2018-10-18 ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価 横川 凌(明大), 富田 基裕(早大), 渡邉 孝信(早大), 小椋 厚志(明大), |
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| 抄録(和) | Siナノワイヤ(SiNW)はバルクSiと比較して電気伝導率を維持しつつ熱伝導率が大幅に低下することから次世代熱電材料として大変注目されている。熱伝導率の低下は低次元化およびナノワイヤを覆う酸化膜によって引き起こされる。ゆえに熱電デバイスへ向けたSiNW作製プロセスの評価は重要となるが、SiNWトランジスタと比べ本格的なプロセス評価報告例は少ない。そこで本研究では非破壊かつ高空間分解能を有し、フォノンエネルギーを直接観測することができるラマン分光法を活用し、熱電デバイス用Siナノワイヤのプロセス評価を行い、熱伝導特性を定量的に測定し最適化を試みた。 |
| 抄録(英) | Silicon nanowire (SiNW) is expected to be a new attractive thermoelectric material with excellent performance with low thermal conductivity. It has been reported that thermal conductivity is decreased by miniaturization and disorder strain induced at the SiO2/SiNW interface. Therefore, it is important to reveal mechanism of decrease in thermal conductivity at SiO2/SiNW interface experimentally, and SiNW process optimization including thermal oxidation is needed. However, evaluation of thermal conductivity characteristics focused on the SiO2/SiNW interface properties has not been investigated in detail. In this study, we evaluated thermal conductivity properties fabricated by different processes using Raman spectroscopy to optimize thermoelectric Si device process. |
| キーワード(和) | 熱電発電デバイス / Siナノワイヤ / ラマン分光法 |
| キーワード(英) | Thermoelectric device / Si nanowire / Raman spectroscopy |
| 資料番号 | SDM2018-61 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2018/10/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Process Evaluation of Si Nanowire for Thermoelectric Device by Raman Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱電発電デバイス / Thermoelectric device |
| キーワード(2)（和/英） | Siナノワイヤ / Si nanowire |
| キーワード(3)（和/英） | ラマン分光法 / Raman spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横川 凌 / Ryo Yokogawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 明治大学(略称：明大) Meiji university(略称：Meiji Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富田 基裕 / Motohiro Tomita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡邉 孝信 / Takanobu Watanabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 明治大学(略称：明大) Meiji university(略称：Meiji Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-10-18 |
| 資料番号 | SDM2018-61 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-241 |
| ページ範囲 | pp.47-50(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |