| 講演名 | 2018-11-09 ［招待講演］4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション 望月 和浩(産総研), 紀 世陽(産総研), 小杉 亮治(産総研), 米澤 喜幸(産総研), 奥村 元(産総研), |
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| 抄録(和) | 化学的気相堆積（CVD）を用いた4H-SiCスーパージャンクション素子向けトレンチ埋込成長に関するトポグラフィシミュレーションのモデルを提案した。減圧CVDが専ら使用され，バリスティック輸送モデルで記述されるSiトレンチ埋込成長と異なり，ポリタイプを4Hとするため高温成長が必須となる結果，高いSi蒸気圧を抑圧するため亜大気圧CVDが使われるSiCの場合，連続拡散モデルによる記述が必要となる。成長種の気相平衡濃度が表面の曲率に応じて変化するギブス－トムソン効果を取り入れ，表面自由エネルギーの面方位依存性を考慮することにより，実験的に観察されたボイドや窪み等の特徴を再現することが可能となった。 |
| 抄録(英) | A topography-simulation model is proposed to simulate chemical-vapor-deposition (CVD) trench filling for 4H-SiC superjunction devices. In contrast to a ballistic transport model used to describe trench-filling growth of Si during low-pressure CVD, a continuum diffusion model is used to describe trench-filling growth of SiC. This is because subatmospheric-pressure CVD is needed to suppress high vapor pressure of Si at high temperature required for 4H polytype. Experimental observations, concerning void and dip formation, are reproduced by including the Gibbs－Thomson effect (i.e., the effect of curvature of a growing surface on equilibrium vapor-phase concentration of growing species) and an orientation dependence of surface free energy. |
| キーワード(和) | 化学的気相堆積 / CVD / SiC / スーパージャンクション / トレンチ埋込成長 / トポグラフィシミュレーション / ギブス－トムソン効果 / 表面自由エネルギー |
| キーワード(英) | Chemical Vapor Deposition / CVD / SiC / Superjunction / Trench-Filling Growth / Topography Simulation / Gibbs－Thomson Effect / Surface Free Energy |
| 資料番号 | SDM2018-70 |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2018/11/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Topography Simulation of Trench-Filling Growth of 4H-SiC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 化学的気相堆積 / Chemical Vapor Deposition |
| キーワード(2)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | スーパージャンクション / Superjunction |
| キーワード(5)（和/英） | トレンチ埋込成長 / Trench-Filling Growth |
| キーワード(6)（和/英） | トポグラフィシミュレーション / Topography Simulation |
| キーワード(7)（和/英） | ギブス－トムソン効果 / Gibbs－Thomson Effect |
| キーワード(8)（和/英） | 表面自由エネルギー / Surface Free Energy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 望月 和浩 / Kazuhiro Mochizuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 紀 世陽 / Shiyang Ji |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小杉 亮治 / Ryoji Kosugi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 米澤 喜幸 / Yoshiyuki Yonezawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 奥村 元 / Hajime Okumura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2018-11-09 |
| 資料番号 | SDM2018-70 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-291 |
| ページ範囲 | pp.29-34(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) |