| 講演名 | 2018-10-03 無線電力伝送用リセスゲートFET型GaNダイオード整流器 角野 純平(名工大), 池戸 雄哉(名工大), 長田 大和(アルバック), 上村 隆一郎(アルバック), 分島 彰男(名工大), |
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| 抄録(和) | マイクロ波無線電力伝送用ダイオードの大電力化に向けて、リセスゲートFET型GaNダイオード整流器の検討を行った。まずは、ダイオード特性において重要である閾値制御をAlGaN層のAl組成とエッチングバイアスを検討した。Al組成0.25，エッチングバイアス3WではGaN/AlGaNエッチング選択比が76と予想されるという結果を得た。これはGaNキャップ（17nm）の100%O.E.でAlGaN層が0.5nmエッチングされる見込みである。また、汎用化に向けてモジュール化を行った。作製したダイオードを使用する際に近い形で評価系と直接つなぐことに成功した。入力可能な最大電力の24dbmを入力したところ、出力電力15dbm，効率15％を得ることが出来た。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | マイクロ波無線電力伝送 / GaNトランジスタ / リセスエッチング / モジュール化 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | WPT2018-30 |
| 発行日 | 2018-09-26 (WPT) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | WPT / EE |
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| 開催期間 | 2018/10/3(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京都大学宇治キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. Uji Campus |
| テーマ（和） | 電力変換技術，無線電力伝送，一般 |
| テーマ（英） | Power conversion, Wireless power transfer, others |
| 委員長氏名（和） | 高橋 応明(千葉大) / 馬場崎 忠利(NTTファシリティーズ) |
| 委員長氏名（英） | Masaharu Takahashi(Chiba Univ.) / Tadatoshi Babasaki(NTT Facilities) |
| 副委員長氏名（和） | / 廣瀬 圭一(NTTファシリティーズ) / 末次 正(福岡大) |
| 副委員長氏名（英） | / Keiichi Hirose(NTT Facilities) / Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 日景 隆(北大) / 山本 綱之(山口大) / 坂井 栄治(崇城大) / 松井 信正(長崎総科大) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Hikage(Hokkaido Univ.) / Tsunayuki Yamamoto(Yamaguchi Univ.) / Eiji Sakai(Sojo Univ.) / Nobumasa Matsui(Nagasaki Inst. of Applied Science) |
| 幹事補佐氏名（和） | 花澤 理宏(UL Japan) / 羽賀 望(群馬大) / 松下 傑(NTTファシリティーズ) / 押方 哲也(新電元工業) / 米澤 遊(富士通研) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masahiro Hanazawa(UL Japan) / Nozomi Haga(Gunma Univ.) / Takashi Matsushita(NTT-F) / Tetsuya Oshikata(ShinDengen) / Yuu Yonezawa(Fujitsu Lab.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Wireless Power Transfer / Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 無線電力伝送用リセスゲートFET型GaNダイオード整流器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN diode rectifier with recessed gate FET for wireless power transfer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波無線電力伝送 |
| キーワード(2)（和/英） | GaNトランジスタ |
| キーワード(3)（和/英） | リセスエッチング |
| キーワード(4)（和/英） | モジュール化 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 角野 純平 / Jumpei Sumino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池戸 雄哉 / Yuya Ikedo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長田 大和 / Yamato Osada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック(略称：アルバック) ULVAC(略称：ULVAC) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上村 隆一郎 / Ryuichiro Kamimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック(略称：アルバック) ULVAC(略称：ULVAC) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 分島 彰男 / Akio Wakejima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 発表年月日 | 2018-10-03 |
| 資料番号 | WPT2018-30 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | WPT-227 |
| ページ範囲 | pp.5-9(WPT), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-09-26 (WPT) |