| 講演名 | 2018-10-17 ［招待講演］低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ 畑山 祥吾(東北大), 須藤 祐司(東北大), 安藤 大輔(東北大), 小池 淳一(東北大), |
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| 抄録(和) | 相変化メモリは次世代型の不揮発性メモリとして注目されている. 現在, 実用化されている相変化材料はGe-Sb-Te化合物(GST)であるが, GSTは動作エネルギーが大きく, アモルファス相の耐熱性が低いという課題がある. 本研究で着目した新規相変化材料Cr2Ge2Te6（CrGT）は, 一般的な相変化材料とは異なり, 低抵抗のアモルファス相と高抵抗の結晶相を有する相変化材料である. CrGTを用いた相変化メモリの動作特性を調査したところ, GSTと比較して動作エネルギーを90%以上低減でき, かつGSTよりも動作速度が速いことがわかった. |
| 抄録(英) | Phase change random access memory (PCRAM) has attracted much attention as one of next generation non-volatile memory. Ge-Sb-Te compounds (GST) are widely studied as practical phase change material (PCM). However, GST-based PCRAM shows high operation energy, and low data retention ability because of low thermal stability of its amorphous phase. Therefore, we are focusing on a new PCM of Cr2Ge2Te6 (CrGT) to replace GST. CrGT shows an inverse resistance change between low-resistance amorphous and high-resistance crystalline phases which is totally different from conventional PCMs. In this study, the memory operation properties of CrGT-based PCRAM were investigated. It was found that the operation energy of CrGT-based PCRAM is more than 90% lower than that of GST-based PCRAM and its operation speed is faster than GST-based PCRAM. |
| キーワード(和) | 相変化メモリ / 相変化材料 / アモルファス / 結晶化 / Cr-Ge-Te / 逆抵抗変化 |
| キーワード(英) | phase change memory / phase change material / amorphous / crystallization / Cr-Ge-Te / inverse resistance change |
| 資料番号 | SDM2018-56 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2018/10/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Cr2Ge2Te6-Based PCRAM Showing Low Resistance Amorphous and High Resistance Crystalline States |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / phase change memory |
| キーワード(2)（和/英） | 相変化材料 / phase change material |
| キーワード(3)（和/英） | アモルファス / amorphous |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶化 / crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | Cr-Ge-Te / Cr-Ge-Te |
| キーワード(6)（和/英） | 逆抵抗変化 / inverse resistance change |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 畑山 祥吾 / Shogo Hatayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 須藤 祐司 / Yuji Sutou |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安藤 大輔 / Daisuke Ando |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小池 淳一 / Junichi Koike |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-10-17 |
| 資料番号 | SDM2018-56 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-241 |
| ページ範囲 | pp.21-26(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |