| 講演名 | 2018-10-18 1.3-?m帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ電圧変調による大信号光応答の理論解析 後藤 優征(東工大), 吉冨 翔一(東工大), 山中 健太郎(東工大), 西山 伸彦(東工大), 荒井 滋久(東工大), |
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| 抄録(和) | トランジスタレーザ（TL）は、従来の半導体レーザと異なり3電気端子を有する構造ため、端子接続の組み合わせにより複数の変調方法が可能である。これまでに当研究室では1.3 ?m帯TLの室温連続発振を実現してきた。今回、電圧変調による大信号の光出力応答シミュレーションを行った。活性層内電流の過渡的な変化を考慮することで、これまでの実デバイスで観測された光出力の過渡的な変化の再現に成功した。そして、理論解析をもとに高速電圧変調に向けた最適なコレクタ-ベース間容量（CBC）、および高い消光比の確保のために最低限必要な端面反射率（R1×R2）を求めた。 |
| 抄録(英) | Transistor Laser (TL) has multiple modulation methods by a combination of terminal connection because it has three electrical terminals unlike the laser diodes. In this report, for the voltage modulation of the TL, the light output response under a large signal voltage modulation was simulated. By considering the transient change of the current in the active layer, we succeeded in reproducing the light output having transient change. Based on the simulation, the optimum collector-base capacitance in the actual device and the minimum required end-facet reflectance for high-speed modulation were obtained. |
| キーワード(和) | トランジスタレーザ / 半導体レーザ / 電圧変調 / 大信号応答 |
| キーワード(英) | Transistor laser / Semiconductor laser / Voltage modulation / Large signal response |
| 資料番号 | OCS2018-34,OPE2018-70,LQE2018-59 |
| 発行日 | 2018-10-11 (OCS, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE / LQE / OCS |
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| 開催期間 | 2018/10/18(から2日開催) |
| 開催地（和） | 佐賀県教育会館 第1会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 佐藤 功紀(古河電工) / 浜本 貴一(九大) / 森田 逸郎(KDDI総合研究所) |
| 委員長氏名（英） | Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Itsuro Morita(KDDI Research) |
| 副委員長氏名（和） | 高橋 浩(上智大) / 有賀 博(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 木坂 由明(NTT) / 高橋 正典(古河電工) |
| 幹事氏名（英） | Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yoshiaki Kisaka(NTT) / Masanori Takahashi(Furukawa Electric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) / 永井 正也(阪大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Optical Communication Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.3-?m帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ電圧変調による大信号光応答の理論解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Large-signal Optical-Response Analysis of Voltage-Modulated 1.3 um Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トランジスタレーザ / Transistor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor laser |
| キーワード(3)（和/英） | 電圧変調 / Voltage modulation |
| キーワード(4)（和/英） | 大信号応答 / Large signal response |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 優征 / Yusei Goto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo teach) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉冨 翔一 / Shoichi Yoshitomi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo teach) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 健太郎 / Kentaro Yamanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo teach) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo teach) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo teach) |
| 発表年月日 | 2018-10-18 |
| 資料番号 | OCS2018-34,OPE2018-70,LQE2018-59 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | OCS-251,OPE-252,LQE-253 |
| ページ範囲 | pp.35-40(OCS), pp.35-40(OPE), pp.35-40(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-10-11 (OCS, OPE, LQE) |