| 講演名 | 2018-08-07 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 百瀬 駿(金沢工大), 井田 次郎(金沢工大), 山田 拓弥(金沢工大), 森 貴之(金沢工大), 伊東 健治(金沢工大), 石橋 孝一郎(電通大), 新井 康夫(高エネルギー加速器研究機構), |
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| 抄録(和) | ?W級の電力で機能する整流器を構築するためには，新たなダイオード技術の開発が必要である．従来のp-n接合ダイオード，ショットキーバリアダイオードは，共にqV/kBT伝導機構に支配され，電流-電圧特性が指数関数的に上昇するが，微小な電圧範囲で見るとほぼ直線となり極低電圧振幅の交流信号を整流することは不可能である．本研究では，我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ”PN-Body Tied SOI-FET” (PNBT) を使い極低電圧整流実験を行った。その結果，PNBTを用いたダイオードでは入力振幅が10mVと極低電圧であっても，半波整流が初めて確認された．この結果は，極低電圧での整流が必要なRFエネルギー・ハーベスティング，極低電圧センシングなどへの応用が期待される． |
| 抄録(英) | In order to construct a rectifier that function with ?W power, it is necessary to develop a new diode technology. The conventional p-n junction diodes and Schottky barrier diodes are dominated by the qV/kBT conduction mechanism the current-voltage characteristics rise exponentially. It is impossible to rectify the AC input with ultralow voltage amplitude. In this study, we focused on “PN-Body Tied SOI-FET” (PNBT) with steep SS proposed in our laboratory and conducted a rectification experiment by setting the input amplitude of the sinewave to 10mV. In the diode by PNBT, perfect half-wave rectification was confirmed even when the input amplitude was 10mV. It is promising for small voltage rectification on RF energy harvesting and sensing. |
| キーワード(和) | RF Energy Harvesting / SOI-FET / Subthreshold Slope |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2018-31,ICD2018-18 |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2018/8/7(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 永田 真(神戸大) / 大竹 浩(NHK) / 秋田 純一(金沢大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hiroshi Ohtake(NHK) / Junichi Akita(Kanazawa Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 池辺 将之(北海道大) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 伊藤 浩之(東工大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(神戸大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Kobe Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Experiment of Ultralow Voltage Rectification by Super Steep SS "PN-Body Tied SOI-FET" |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RF Energy Harvesting |
| キーワード(2)（和/英） | SOI-FET |
| キーワード(3)（和/英） | Subthreshold Slope |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 百瀬 駿 / Shun Momose |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 次郎 / Jiro Ida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 拓弥 / Takuya Yamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森 貴之 / Takayuki Mori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊東 健治 / Kenji Itoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 新井 康夫 / Yasuo Arai |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 高エネルギー加速器研究機構(略称：高エネルギー加速器研究機構) High Energy Accelerator Research Organization(略称：KEK) |
| 発表年月日 | 2018-08-07 |
| 資料番号 | SDM2018-31,ICD2018-18 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-172,ICD-173 |
| ページ範囲 | pp.31-34(SDM), pp.31-34(ICD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) |