| 講演名 | 2018-08-09 Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 中村 和樹(弘前大), 大橋 遼(弘前大), 横山 大(東北大), 田島 圭一郎(東北大), 遠藤 則史(東北大), 末光 眞希(東北大), 遠田 義晴(弘前大), 小林 康之(弘前大), 鈴木 裕史(弘前大), 中澤 日出樹(弘前大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光学的・機械的特性への窒素(N)添加効果について調べた。SiおよびNを共添加したDLC(Si-N-DLC)薄膜は窒素添加DLC(N-DLC)薄膜と比べて光学バンドギャップは大きかった。またSi-N-DLC薄膜の光学バンドギャップはN含有量の増加に伴い増加するのに対して、N-DLCの光学バンドギャップは減少した。また、Si-N-DLC/p型Siのヘテロ接合のI-V特性は整流性を示さなかったが、真空中ポストアニール後良好な整流特性を示した。 |
| 抄録(英) | We have investigated the effects of nitrogen (N) doping on the chemical bonding states and the electrical, optical, and mechanical properties of Si-doped DLC (Si-DLC) films, which were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using H_2 as a dilution gas. Si/N codoped DLC (Si-N-DLC) films had higher optical gaps than N-doped DLC (N-DLC) films. We found that the optical bandgap of the Si-N-DLC films showed an increasing trend with increasing N content, while that of the N-DLC films showed an opposite trend. The I-V characteristics of the Si-N-DLC/p-Si heterojunctions were not rectifying. It was found that after annealing the Si-N-DLC films in a vacuum, the heterojunctions provided good rectifying characteristics. |
| キーワード(和) | ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / ケイ素 / 窒素 |
| キーワード(英) | Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen |
| 資料番号 | CPM2018-8 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2018/8/9(から2日開催) |
| 開催地（和） | 弘前大学文京町地区キャンパス |
| 開催地（英） | Hirosaki Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | Component Parts and Materials, etc. |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of nitrogen doping on the properties of Si-doped DLC films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | ケイ素 / Silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素 / Nitrogen |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 和樹 / Kazuki Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大橋 遼 / Haruka Oohashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 横山 大 / Tai Yokoyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田島 圭一郎 / Kei-ichiro Tajima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 遠藤 則史 / Norihumi Endo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 末光 眞希 / Maki Suemitsu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-08-09 |
| 資料番号 | CPM2018-8 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CPM-179 |
| ページ範囲 | pp.1-6(CPM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |