講演名 2018-08-24
Siフォトニクス外部共振器量子ドット波長可変レーザの1um帯への応用
松本 敦(NICT), 梅沢 俊匡(NICT), 山本 直克(NICT), 北 智洋(早大),
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抄録(和) 近年、通信容量が急激に増大し、特にモバイルやデータセンタ等の中短距離通信トラフィックの増加が顕著である。近距離ではファイバ増幅器を用いる必要性がないため、O-band帯のⅢ-Ⅴ族化合物半導体を用いた発光素子とSiフォトニクスによるパッシブ光素子とのヘテロジニアス光集積回路の研究・報告が盛んに行われている。これまで我々はO-bandのみならず λ< 1100 nmの波長帯(T-band)についても今後の通信容量の増大を見据えて検討を行ってきた。 本稿では、1 um帯において、Siフォトニクスによる外部共振器フィルタを用いた量子ドット(QD: Quantum dot)波長可変レーザを作製したので報告する。
抄録(英) In recent years, information and communication traffic have exponentially increased. So far, we have paid attention not only to the O-band but also the 1-um band. We have also studied quantum dot (QD) optical devices and heterogeneous integrated devices with QD and Si photonics-based PICs utilizing the O-band, such as QD heterogeneous tunable laser diodes (LD). In this paper, we present a Si-photonics-based QD heterogeneous tunable laser emitting in the 1-um band.
キーワード(和) 量子ドット / シリコンフォトニクス / 1um帯
キーワード(英) semiconductor quantum dot / Si photonics / 1 um-band
資料番号 R2018-33,EMD2018-36,CPM2018-36,OPE2018-63,LQE2018-52
発行日 2018-08-16 (R, EMD, CPM, OPE, LQE)

研究会情報
研究会 EMD / LQE / OPE / CPM / R
開催期間 2018/8/23(から2日開催)
開催地(和) 小樽経済センター
開催地(英) Otaru Camber of Commerce & Industry
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 和田 真一(TMCシステム) / 浜本 貴一(九大) / 佐藤 功紀(古河電工) / 廣瀬 文彦(山形大) / 弓削 哲史(防衛大)
委員長氏名(英) Shinichi Wada(TMC System) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tetsushi Yuge(National Defense Academy)
副委員長氏名(和) 萓野 良樹(電通大) / 有賀 博(三菱電機) / 高橋 浩(上智大) / 武山 真弓(北見工大) / 安里 彰(富士通)
副委員長氏名(英) Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Akira Asato(Fujitsu)
幹事氏名(和) 水上 雅人(室蘭工大) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 田村 信幸(法政大) / 平栗 滋人(鉄道総研)
幹事氏名(英) Masato Mizukami(Muroran Inst. of Tech.) / Kenji Suzuki(Fuji Electric) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) / Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shigeto Hiraguri(RTRI)
幹事補佐氏名(和) 林 優一(奈良先端大) / 永井 正也(阪大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 井上 真二(関西大) / 岡村 寛之(広島大)
幹事補佐氏名(英) Yuichi Hayashi(NAIST) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Shinji Inoue(Kansai Univ.) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Reliability
本文の言語 JPN
タイトル(和) Siフォトニクス外部共振器量子ドット波長可変レーザの1um帯への応用
サブタイトル(和)
タイトル(英) Application of Si-Photonics-Based Quantum Dot External cavity Tunable Laser for the 1um-band
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 量子ドット / semiconductor quantum dot
キーワード(2)(和/英) シリコンフォトニクス / Si photonics
キーワード(3)(和/英) 1um帯 / 1 um-band
第 1 著者 氏名(和/英) 松本 敦 / Atsushi Matsumoto
第 1 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Information and Communications technology(略称:NICT)
第 2 著者 氏名(和/英) 梅沢 俊匡 / Toshimasa Umezawa
第 2 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Information and Communications technology(略称:NICT)
第 3 著者 氏名(和/英) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto
第 3 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Information and Communications technology(略称:NICT)
第 4 著者 氏名(和/英) 北 智洋 / Tomohiro Kita
第 4 著者 所属(和/英) 早稲田大学(略称:早大)
Waseda University(略称:Waseda Univ.)
発表年月日 2018-08-24
資料番号 R2018-33,EMD2018-36,CPM2018-36,OPE2018-63,LQE2018-52
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) R-185,EMD-186,CPM-187,OPE-188,LQE-189
ページ範囲 pp.83-86(R), pp.83-86(EMD), pp.83-86(CPM), pp.83-86(OPE), pp.83-86(LQE),
ページ数 4
発行日 2018-08-16 (R, EMD, CPM, OPE, LQE)