| 講演名 | 2018-08-09 SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 奈良 友奎(弘前大), 工藤 あさひ(弘前大), 中澤 日出樹(弘前大), |
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| 抄録(和) | AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3?オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモノメチルシラン(CH_3SiH_3; MMS)を用いてSiC低温バッファ層を形成し、さらにその上にSiCターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSiC薄膜を作製した。SiCバッファ層の形成条件を変化させてSiC成長を行い、SiC薄膜の結晶性および表面平坦性を評価した。その結果、SiCバッファ層形成時の基板温度が500?Cおよび550?Cの場合にSiC薄膜の表面粗さがより小さくなることがわかった。 |
| 抄録(英) | We have grown aluminum nitride (AlN) films on 3° off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition using an AlN target, and formed SiC interfacial buffer layers on the AlN layers by ultralow pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane (CH_3SiH_3) to grow SiC films on the low-temperature buffer layers by pulsed laser deposition using a SiC target. We formed the SiC buffer layers under different conditions, and investigated the crystallinity and surface morphology of the SiC films grown on the buffer layers. We successfully grew the SiC films with lower surface roughnesses on the buffer layers formed at substrate temperatures of 500 and 550°C. |
| キーワード(和) | シリコンカーバイド / 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション |
| キーワード(英) | Silicon carbide / Aluminum nitride / Pulsed laser deposition |
| 資料番号 | CPM2018-10 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2018/8/9(から2日開催) |
| 開催地（和） | 弘前大学文京町地区キャンパス |
| 開催地（英） | Hirosaki Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | Component Parts and Materials, etc. |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of formation conditions of SiC buffer layers for SiC/SiC buffer layer/AlN/Si(110) multilayer structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / Silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奈良 友奎 / Yuki Nara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 工藤 あさひ / Asahi Kudo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-08-09 |
| 資料番号 | CPM2018-10 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CPM-179 |
| ページ範囲 | pp.13-16(CPM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |