| 講演名 | 2018-08-10 Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 藤森 敬典(弘前大), 千田 陽介(弘前大), 増田 悠右(弘前大), 氏家 夏樹(弘前大), 遠田 義晴(弘前大), |
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| 抄録(和) | 20 nm～100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 空加熱を行い、電子線照射効果を走査型電子顕微鏡(SEM)や原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた。フッ酸処理後 の表面を AFM で観察すると、電子線照射領域にSiO_{2}が還元されてできたと思われる Si ドットが見られた。真空加熱後では、電子線照射領域にSiO_{2}が熱脱離した正方形状の小孔（ボイド）がSEMにより観測された。これら結果は、電子線照射により還元されたSiが形成され、これを核として SiO_{2}膜が選択的に熱脱離し、本来脱離が起こらない加熱温度でもボイドが形成されることを示している。 |
| 抄録(英) | Irradiation effects of electron beam on 20-100-nm-thick SiO_{2} layer on Si(100) have been investigated by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). After electron beam irradiation, the sample was dipped in hydrofluoric acid to remove the SiO_{2} layer, and then observed by AFM. The AFM images showed Si dots at irradiation areas, indicating reduction of SiO_{2} layer. Annealing of the sample was also carried out in vacuum after the irradiation. After annealing, small square pits (voids) were observed only at the irradiation areas by SEM. This indicates the SiO_{2} layer is selectively desorbed due to the presence of the reduced Si formed by the irradiation, and consequently the void is formed even at low temperature. |
| キーワード(和) | シリコン酸化膜 / 還元反応 / 電子線 / ボイド / 熱脱離 |
| キーワード(英) | Silicon Dioxide / Reduction Reaction / Electron Beam / Void / Thermal Desorption |
| 資料番号 | CPM2018-18 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2018/8/9(から2日開催) |
| 開催地（和） | 弘前大学文京町地区キャンパス |
| 開催地（英） | Hirosaki Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | Component Parts and Materials, etc. |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction reaction of SiO2 layer on Si substrate by irradiation of electron beam |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン酸化膜 / Silicon Dioxide |
| キーワード(2)（和/英） | 還元反応 / Reduction Reaction |
| キーワード(3)（和/英） | 電子線 / Electron Beam |
| キーワード(4)（和/英） | ボイド / Void |
| キーワード(5)（和/英） | 熱脱離 / Thermal Desorption |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤森 敬典 / Keisuke Fujimori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 千田 陽介 / Yosuke Chida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 悠右 / Yusuke Masuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 氏家 夏樹 / Natsuki Ujiie |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-08-10 |
| 資料番号 | CPM2018-18 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CPM-179 |
| ページ範囲 | pp.47-52(CPM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |