| 講演名 | 2018-08-09 SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 中澤 日出樹(弘前大), 成田 舜基(弘前大), 奈良 友奎(弘前大), 遠田 義晴(弘前大), |
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| 抄録(和) | 3?オフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レーザー強度100 mJ/pulseおよび基板温度750?CのときAlN薄膜は回転ドメインを含まず、結晶性と平坦性が最も良好となることがわかった。作製したAlN薄膜上にモノメチルシラン(CH_3SiH_3)を用いた化学気相成長法によりSiC低温バッファ層を形成後、レーザーアブレーション法によりSiC薄膜を成長した。その後、超高真空中においてSiC/AlN/Si(110)の高温アニールを行い、反射高速電子線回折およびX線光電子分光によりグラフェン形成のその場観察を行った。その結果、SiC/AlN/Si(110)上グラフェンに関する以前の報告に比べて、結晶性や平坦性が優れたグラフェンが得られることがわかった。 |
| 抄録(英) | We have grown aluminum nitride (AlN) films on 3? off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition (PLD), and investigated the effects of laser power and substrate temperature on the crystallinity and surface morphology of the AlN films. A fairly flat, high-quality AlN film was grown onto the off-axis Si(110) substrate at a laser power of 100 mJ/pulse and a substrate temperature of 750?C, which contained no rotation domains. We grew a high-quality 3C-SiC film by PLD on a SiC interfacial buffer layer formed by chemical vapor deposition using monomethylsilane on the AlN film. We examined the structure and chemical bonding of graphene formed by annealing the SiC film at a high temperature in an ultra-high vacuum using in-situ reflection high-energy electron diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy. The crystallinity and surface roughness of the graphene were improved compared to those of the previously reported graphene formed on SiC/AlN/Si(110) substrates. |
| キーワード(和) | レーザーアブレーション / 窒化アルミニウム / 炭化ケイ素 / グラフェン |
| キーワード(英) | Pulsed laser deposition / Aluminum nitride / Silicon carbide / Graphene |
| 資料番号 | CPM2018-9 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2018/8/9(から2日開催) |
| 開催地（和） | 弘前大学文京町地区キャンパス |
| 開催地（英） | Hirosaki Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | Component Parts and Materials, etc. |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of graphene on SiC/AlN/Si(110) substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| キーワード(3)（和/英） | 炭化ケイ素 / Silicon carbide |
| キーワード(4)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 成田 舜基 / Syunki Narita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 奈良 友奎 / Yuki Nara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-08-09 |
| 資料番号 | CPM2018-9 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CPM-179 |
| ページ範囲 | pp.7-12(CPM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |